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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310916651.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法是由许福军;沈波;王嘉铭;冀晨;康香宁;唐宁;秦志新设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法。本发明提供的方法包括在GaN蓝宝石模板上通过裂纹预置及填埋等外延工艺实现表面平整、无裂纹的紫外LED全结构外延生长；然后采用激光剥离手段去除蓝宝石衬底，结合紫外LED制备工艺，得到薄膜倒装型紫外LED芯片。本发明所述方法不仅改善紫外LED器件光提取效率低的问题，还解除了紫外LED器件对于AlN模板的依赖，降低生产成本，对AlGaN基紫外LED器件性能提升及产业应用具有重要意义，适合大力推广。

本发明授权一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜倒装型AlGaN基紫外发光二极管器件LED的制备方法，包括如下步骤： S1、在蓝宝石衬底上外延GaN模板，得到GaN模板层； S2、在所述GaN模板层上外延生长预置裂纹层；其中，所述预置裂纹层的材质为AlN或AlGaN；所述预置裂纹层中，Al组分的摩尔分数为30%-100%；所述预置裂纹层的厚度为10-300nm； S3、在所述预置裂纹层上外延生长AlGaN裂纹填埋层； S4、在所述AlGaN裂纹填埋层上外延生长紫外LED结构，包括n-AlGaN层、有源区多量子阱层、p-AlGaN电子阻挡层、p-AlGaN层和p-GaN层； S5、通过光刻和ICP刻蚀技术，在所述n-AlGaN层上制备n型电极，在所述p-GaN层上制备p型电极；在所述n型电极和所述p型电极之间沉积隔离层；在所述n型电极上引出金属层，将所述金属层与基板进行键合； S6、剥离所述蓝宝石衬底； S7、去除所述GaN模板层，糙化所述预置裂纹层的表面； S8、刻蚀所述预置裂纹层、所述AlGaN裂纹填埋层和所述紫外LED结构，并引出所述p型电极，裂片，封装，完成薄膜倒装型紫外LED制备。

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