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龙图腾网获悉合肥国家实验室;南京大学申请的专利室温高质量无缓冲层生长α相钽膜的制备方法及含钽膜量子器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119392171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411576522.6，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权室温高质量无缓冲层生长α相钽膜的制备方法及含钽膜量子器件的制备方法是由孙国柱;周顺宏;麻华世;曹春海;石粒力;许问渠;张凯旋;左权;李柄霖;张俊洲;于永洋;吴培亨设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本室温高质量无缓冲层生长α相钽膜的制备方法及含钽膜量子器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种室温高质量无缓冲层生长α相钽膜的制备方法，将衬底装载到进样腔室，并抽真空至6e‑8Torr以下；将衬底传输至镀膜腔室，衬底与钽靶材相对设置，且衬底法线与钽靶材所在平面法线夹角为0°，调节衬底样品与钽靶材保持在预定的间距，并将镀膜腔室的真空抽至5e‑10Torr以下；在真空环境中预通入惰性气体，使腔室达到并维持在预定的气压；输出特定功率进行溅射镀膜，溅射完预定的溅射时间后，停止功率输出及惰性气体输入；将镀有α相钽膜的衬底由镀膜腔室传回进样腔室，使用氮气或氩气破真空取出。本发明提出一种由制备得到的钽膜来制备高品质因数谐振器量子器件的工艺流程。本发明提高了良品率，提升了器件性能，具有广泛的应用领域，包括但不限于量子计算等领域。

本发明授权室温高质量无缓冲层生长α相钽膜的制备方法及含钽膜量子器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种室温高质量无缓冲层生长α相钽膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，提供衬底； 步骤2，将衬底装载到进样腔室，并抽真空至6e-8Torr以下； 步骤3，将衬底传输至镀膜腔室，衬底与钽靶材相对设置，且衬底法线与钽靶材所在平面法线夹角为0°，调节衬底样品与钽靶材保持在预定的间距，并将镀膜腔室的真空抽至5e-10Torr以下； 步骤4，在真空环境中预通入惰性气体，使腔室达到并维持在预定的气压，其中： 惰性气体为氩气，气体流量为10sccm～30sccm，镀膜腔室溅射气压为1mTorr～3mTorr； 步骤5，输出特定功率进行溅射镀膜，溅射完预定的溅射时间后，停止功率输出及惰性气体输入，其中： 溅射功率为30W～80W,溅射时间为500s～1500s； 步骤6，将镀有α相钽膜的衬底由镀膜腔室传回进样腔室，使用氮气或氩气破真空取出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥国家实验室;南京大学，其通讯地址为：230094 安徽省合肥市蜀山区望江西路5099号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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