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龙图腾网获悉江门普乐开瑞太阳能科技有限公司申请的专利一种背接触钝化电池制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411525202.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背接触钝化电池制备方法及结构是由张鹏;欧文凯;张东威设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触钝化电池制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背接触钝化电池的制备方法及结构，属于太阳能电池技技术领域，其包括首先对半导体衬底进行清洗，在衬底的其中一面开始钝化层的制备；在背面单侧沉积一层保护层；使用激光设备对背面的保护膜进行选择性开槽处理；然后将其放入热扩散炉中，完成电池背面的第一种电极制备；最外层的保护层可作为背面电极的保护膜，然后在其背面激光未处理的区域上方印刷磷浆，接着进行热退火处理，完成后在电池的正、背面各沉积一层钝化减反膜；最终完成电池的制备。本发明使用一步激光的方法解决了背接触电池在两种不同掺杂类型的电极产生漏电的可能。

本发明授权一种背接触钝化电池制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种背接触钝化电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S10、首先对半导体衬底进行清洗，使用电子级化学品进行预抛光处理，接着在所述半导体衬底的其中一面开始钝化层的制备，从里至外依次为氧化层及本征非晶硅层，此时，沉积钝化层的一面为背面； S20、在背面单侧沉积一层保护层，所述保护层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的一种或其组合的一种； S30、使用激光设备对背面的保护层进行选择性开槽处理，用于掺杂多晶硅层的制备，而不被激光刻蚀的区域则被保留； S40、然后将其放入热扩散炉中，通入BCl3或BBr3在温度范围为800～1000℃下，使用原位掺杂的方式经热扩散离子掺杂后，再经过退火处理后此时的本征非晶硅将转化为掺杂多晶硅层即掺硼多晶硅区域，完成电池背面的第一种电极制备，并会在掺杂多晶硅层外产生一层氧化层； S50、最外层的氧化层可作为背面电极的保护膜，放入槽体中进行正面制绒处理；最后去除背面的最外层氧化层和激光未处理的保护层； S60、然后在其背面激光未处理的区域上方印刷磷浆； S70、接着进行热退火处理，通入氧气、氮气的其中一种处理5～20min，形成掺磷多晶硅区域，使得掺硼多晶硅区域、本征非晶硅区域、掺磷多晶硅区域、本征非晶硅区域及掺硼多晶硅区域依次紧邻； S80、在电池正、背面各沉积一层膜厚为3～10nm的AlxOy钝化膜，使用PEALD、ALD、PVD的其中一种实现原子层AlxOy钝化膜的沉积，使用三甲基铝和H2O或三甲基铝和O3的一种完成；完成后在电池的正、背面各沉积一层钝化减反膜； S90、最终通过金属化工艺在掺硼多晶硅区域印刷铝浆印刷形成正电极，在掺磷多晶硅区域上印刷银浆形成负电极，完成电池的制备。

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