西安微电子技术研究所李宏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利基于压力测量胶片的芯片粘接残余应力的测量结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119374768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411544235.7，技术领域涉及：G01L1/24；该发明授权基于压力测量胶片的芯片粘接残余应力的测量结构和方法是由李宏飞;吕青;李钰;皇甫蓬勃;姜洪雨设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于压力测量胶片的芯片粘接残余应力的测量结构和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于压力测量胶片的芯片粘接残余应力的测量结构和方法，涉及封装技术领域，包括粘接应力放大结构；所述粘接应力放大结构上方设置有压力测量胶片，所述压力测量胶片上设置有透明玻璃压块；所述粘接应力放大结构包括玻璃基板，所述玻璃基板上通过粘结剂粘贴有硅芯片，所述硅芯片和压力测量胶片之间设置有隔热膜。本发明可广泛适用于对各类粘接剂在不同粘接界面中粘接残余应力的分布情况和量化数据的可视化考量和评价，可有效指导对粘接残余应力敏感型集成电路产品在封装过程中粘接剂和涂覆图案的选择，对残余应力敏感型集成电路产品前期的封装工艺开发具有指导意义。
本发明授权基于压力测量胶片的芯片粘接残余应力的测量结构和方法在权利要求书中公布了：1.基于压力测量胶片的芯片粘接残余应力的测量结构，其特征在于，包括粘接应力放大结构；所述粘接应力放大结构上方设置有压力测量胶片2，所述压力测量胶片2上设置有透明玻璃压块3；所述粘接应力放大结构包括玻璃基板1，所述玻璃基板1上通过粘结剂粘贴有硅芯片4，所述硅芯片4和压力测量胶片2之间设置有隔热膜5； 所述硅芯片4等比例放大常规芯片的尺寸，且所述硅芯片4的尺寸小于隔热膜5的尺寸，所述隔热膜5的尺寸小于压力测量胶片2的尺寸； 所述硅芯片4的厚度为常规硅芯片厚度为300-400微米的15~16。
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