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龙图腾网获悉杭州越芯微电子技术有限公司;苏州大学申请的专利一种应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119336117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411255884.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器是由白春风;李乐怡;白龙设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器，该电路使用二极管方式连接的PMOS管实现电阻，同时结合开环结构的高带宽特性，实现了AB类输出，在保证瞬态响应速度的同时，能有效地减少输出电压缓冲器的功耗。

本发明授权一种应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器在权利要求书中公布了：1.一种应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器，其特征在于：包括反馈回路、电流镜和输出支路；其中， 所述反馈回路包括放大器、第一NMOS管Mn1和第一PMOS管Mp1，所述放大器的输出端电性连接到所述第一NMOS管Mn1的栅极，所述放大器的反向输入端分别电性连接到所述第一NMOS管Mn1的源极和所述第一PMOS管Mp1的源极，所述第一PMOS管Mp1的栅极和漏极接地； 所述输出支路包括第二NMOS管Mn2、第三NMOS管Mn3、第二PMOS管Mp2和第三PMOS管Mp3，所述第二NMOS管Mn2的栅极电性连接到所述第三NMOS管Mn3的栅极，所述第二NMOS管Mn2的源极电性连接到所述第二PMOS管Mp2的源极，所述第二PMOS管Mp2的栅极和漏极接地并电性连接到所述第三PMOS管Mp3的栅极，所述第三NMOS管Mn3的漏极电性连接到第一电压源，所述第三NMOS管Mn3的源极电性连接到所述第三PMOS管Mp3的源极，所述第三PMOS管Mp3的漏极接地； 所述电流镜包括第四PMOS管Mp4和第五PMOS管Mp5，所述第四PMOS管Mp4的源极和所述第五PMOS管Mp5的源极电性连接到第二电压源，所述第一NMOS管Mn1的漏极分别电性连接到所述第四PMOS管Mp4的栅极和漏极以及所述第五PMOS管Mp5的栅极，所述第二NMOS管Mn2的漏极分别电性连接到其栅极和所述第五PMOS管Mp5的漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州越芯微电子技术有限公司;苏州大学，其通讯地址为：311413 浙江省杭州市富阳区大源镇塘子畈街200号A座402；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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