浙江创芯集成电路有限公司李广济获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119325248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411414945.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由李广济设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成具有存储栅图案的第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀衬底，形成若干分立的开口；在开口内形成存储栅，存储栅的顶部表面与衬底的顶部表面齐平；在衬底表面以及存储栅表面形成选择栅层；在选择栅层上形成具有选择栅图案的第二光刻胶层；以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀选择栅层，形成若干分立的选择栅。通过在衬底内形成开口，并在开口内形成存储栅，使得存储栅位于衬底内，进而在衬底上形成选择栅，实现选择栅与存储栅在平行于衬底的投影方向上无交叠面积，即选择栅与存储栅在加压过程中无电接触，避免存储栅与选择栅之间出现串扰效应，提高了存储器的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成具有存储栅图案的第一光刻胶层； 以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述衬底，形成若干分立的开口； 在所述开口内形成存储栅，所述存储栅的顶部表面与所述衬底的顶部表面齐平； 在所述衬底表面以及所述存储栅表面形成选择栅层； 在所述选择栅层上形成具有选择栅图案的第二光刻胶层； 以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述选择栅层，形成若干分立的选择栅，所述选择栅与所述存储栅在垂直于衬底的投影方向上邻接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励