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龙图腾网获悉苏州晶讯科技股份有限公司申请的专利一种高压平面型可控硅的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411456970.2，技术领域涉及：H10D18/01；该发明授权一种高压平面型可控硅的制作方法是由张卫平;黄建勋;仇利民;戴剑设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压平面型可控硅的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高压平面型可控硅的制作方法，其在正面P型基区四周边缘环绕有扩展结，扩展圆的直径大小不一，且随着远离正面P型基区逐渐缩小，可使得掺杂浓度沿正面P型基区向边缘方向连续线性递减，同时掺杂浓度逐渐减少使得结深也在逐步降低，可有效改善主结电场，进而降低终端的尺寸，降低芯片面积；以及在硅片正面形成有复合钝化膜，可对外加电场具有屏蔽作用，避免了表面击穿，提高了反向耐压，且不易开裂，可控硅产品性能更加优越。

本发明授权一种高压平面型可控硅的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高压平面型可控硅的制作方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、选用N型单晶硅材料加工为硅片，然后在硅片的表面热生成氧化层； S2、在硅片上通过光刻机刻蚀出正、反面隔离图形，随后通过氢氟酸去除待制作区域上的氧化层； S3、在硅片的正、反面涂布硼源，然后进行高温扩散，将硅片正、反面的P型层扩穿，以形成隔离岛； S4、在硅片正面、反面的待制作区域分别刻蚀出P型区域的图形，接着在P型区域图形的表面涂布硼源后放入高温扩散炉进行处理，使得硼源扩散进位于P型区域图形的硅片中，以形成正面P型基区、反面P型基区，从而形成可控硅的主结； S5、在硅片的正面根据图样进行光刻以在正面P型基区四周边缘环绕有扩展结，所述扩展结由均匀分布于正面P型基区四周边缘的若干扩展圆形成，所述扩展圆内注入硼离子后进行高温退火扩散处理，其中，所述扩展圆的直径随着远离正面P型基区逐渐缩小； S6、在正面P型基区和反面P型基区表面刻蚀有N+发射区，且在正面P型基区表面刻蚀有门极N+区； S7、漂净硅片表面的氧化层，在硅片的正面从下至上依次淀积有多晶硅薄膜、二氧化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜，以形成复合钝化膜； S8、在硅片的正面刻蚀出金属接触区，并腐蚀掉所述金属接触区的复合钝化膜，在所述金属接触区和硅片反面分别淀积有铝层，采用光刻机在所述金属接触区光刻出反刻图形，并腐蚀掉图形以外的铝层，从而形成可控硅的门极和T1极，且门极和T1极之间的金属接触区上沉积有隔离氧化层； S9、在所述硅片反面的铝层上继续沉积有钛镍银合金层，从而形成可控硅的T2极； S10、对铝层进行低温处理，使得铝层与硅片形成金属的欧姆接触，最终形成可控硅芯片。

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