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龙图腾网获悉江阴圣邦微电子制造有限公司申请的专利引线框架和FC-QFN封装器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411323145.5，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权引线框架和FC-QFN封装器件是由沐燕斌设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本引线框架和FC-QFN封装器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种引线框架和FC‑QFN封装器件。该引线框架包括括第一引脚、正面半蚀刻区、背面半蚀刻区和过孔，第一引脚包括第一侧面、第三侧面和连接第一侧面与第三侧面的第二侧面，正面半蚀刻区位于引线框架的正面，第一引脚在引线框架正面的投影覆盖正面半蚀刻区在引线框架正面的投影，正面半蚀刻区在第二方向上的最长长度等于第二侧面在第二方向上的长度，背面半蚀刻区位于引线框架的背面，沿着第一引脚的侧面设置，背面半蚀刻区的内侧面与第一引脚的侧面接触，过孔位于背面半蚀刻区上与第二侧面正对的区域，贯穿背面半蚀刻区。该引线框架能够改善和塑封体分层的问题，还能够降低引脚断裂的风险，从而能够提高封装器件的可靠性。

本发明授权引线框架和FC-QFN封装器件在权利要求书中公布了：1.一种引线框架，其特征在于，包括： 第一引脚，包括第一侧面、第二侧面和第三侧面，所述第一侧面和所述第三侧面沿第一方向延伸，所述第二侧面沿第二方向延伸，所述第二侧面的两端连接所述第一侧面的一端和所述第三侧面的一端，所述第二方向与所述第一方向垂直； 正面半蚀刻区，位于所述引线框架的正面，所述第一引脚在所述引线框架正面的投影覆盖所述正面半蚀刻区在所述引线框架正面的投影，所述正面半蚀刻区在所述第二方向上的最长长度等于所述第二侧面在所述第二方向上的长度； 背面半蚀刻区，位于所述引线框架的背面，沿着所述第一侧面、所述第二侧面和所述第三侧面设置，所述背面半蚀刻区的内侧面与所述第一侧面、所述第二侧面和所述第三侧面接触；所述背面半蚀刻区在所述引线框架正面的投影与所述正面半蚀刻区在所述引线框架正面的投影不交叠； 过孔，位于所述背面半蚀刻区上与所述第二侧面正对的区域，沿第三方向贯穿所述背面半蚀刻区，所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向均垂直； 其中，所述第一引脚包括： 端部，包括所述第一侧面靠近所述第二侧面的一侧区域、所述第二侧面和所述第三侧面靠近所述第二侧面的一侧区域； 连接部，包括所述第一侧面远离所述第二侧面的一侧区域和所述第三侧面远离所述第二侧面的一侧区域； 所述背面半蚀刻区包括： 第一背面半蚀刻区，所述第一背面半蚀刻区的内侧面与所述端部的侧面接触； 第二背面半蚀刻区，与所述第一背面半蚀刻区隔离，所述第二背面半蚀刻区的内侧面与所述连接部的侧面接触，所述第二背面半蚀刻区与所述第一背面半蚀刻区之间的所述第一引脚在所述引线框架正面上的投影覆盖第一正面半蚀刻区在所述引线框架正面上的投影且不重合； 所述正面半蚀刻区包括： 所述第一正面半蚀刻区，位于所述连接部的正面，所述第一正面半蚀刻区在所述第二方向上的长度等于所述第二侧面在所述第二方向上的长度； 第二正面半蚀刻区，位于所述连接部的正面所述第一正面半蚀刻区远离所述第二侧面的一侧，所述第二正面半蚀刻区在所述第二方向上的长度小于所述第二侧面在所述第二方向上的长度。

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