重庆大学尹志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种低功耗有机场效应晶体管存储器阵列及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411382284.5，技术领域涉及：H10K19/10；该发明授权一种低功耗有机场效应晶体管存储器阵列及其制备方法和应用是由尹志刚;刘昌东设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低功耗有机场效应晶体管存储器阵列及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低功耗有机场效应晶体管OFET存储器阵列及其制备方法和应用，属于半导体存储器阵列的技术领域。本发明的存储器阵列采用OFET存储器作为基本器件单元，其介电层利用溶液加工的锌盐掺杂型聚电解质介电材料，可实现器件的低电压运行和有效电学性质调控。本发明的OFET存储器阵列具有良好存储特性，可通过编程栅极脉冲电压，实现对人物图像中不同像素点的区分和有效写入读取。较之传统技术，本发明的OFET存储器阵列可以简化制造过程、降低成本，不仅有着结构简单、性能优、能耗低等优势，还易于集成为高密度柔性存储阵列实现有效的电脉冲成像和图片的平滑处理与计算，为存储技术的发展及成像、图像处理与神经形态计算应用提供新的思路。
本发明授权一种低功耗有机场效应晶体管存储器阵列及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种低功耗有机场效应晶体管存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列是通过集成基于离子迁移效应实现存储功能的有机场效应晶体管存储器所形成的存储器阵列； 所述存储器阵列为顶栅底接触结构，从下到上依次包括基底1、源漏电极对、有机半导体层4、介电钝化层5、掺杂型聚电解质介电层6和栅极7； 所述源漏电极对位于基底1的表面和有机半导体层4之间，所述源漏电极对由源极2和漏极3并排构成，所述源极2和漏极3之间形成微纳尺度间距的沟道； 所述源漏电极对以及所述栅极7的数量均为4个及以上，所述栅极7区域覆盖相应源漏电极对的沟道区域； 所述掺杂型聚电解质介电层6为可溶性锌盐掺杂聚电解质的介电薄膜材料。
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