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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于准垂直JTE SBD的单片集成倍压整流器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411279222.1，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权一种基于准垂直JTE SBD的单片集成倍压整流器件是由侯斌;杨凌;朱宥军;马晓华;常青原;张濛;武玫;芦浩;杜佳乐;郝跃设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于准垂直JTE SBD的单片集成倍压整流器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于准垂直JTESBD的单片集成倍压整流器件，包括：两个准垂直JTESBD，分别形成第一和第二充电二极管；钝化层，位于其内部的第一层金属：第一电容阴极板、第二电容阳极板、第一和第二充电二极管阴极；位于钝化层上表面的第二层金属：第一至第四端口、第一和第二充电二极管阳极、第一电容阳极板和第二电容阴极板；第一层间互连金属，连接第二端口和第一电容阴极板；第二层间互连金属，连接第二充电二极管阳极和第一充电二极管阴极；第三层间互连金属，连接第三端口、第二电容阳极板和第二充电二极管阴极。本发明提供的器件具备较高电学性能、能够应用于高频、大功率、强辐射等场合。

本发明授权一种基于准垂直JTE SBD的单片集成倍压整流器件在权利要求书中公布了：1.一种基于准垂直JTESBD的单片集成倍压整流器件，其特征在于，包括： 位于硅衬底上的两个准垂直JTESBD；所述两个准垂直JTESBD分别形成第一充电二极管和第二充电二极管； 钝化层；所述钝化层覆盖所述两个准垂直JTESBD和所述硅衬底； 位于所述钝化层内部的第一层金属；所述第一层金属包括分别形成第一电容阴极板、第二电容阳极板、第一充电二极管阴极和第二充电二极管阴极的金属；其中，所述第二电容阳极板和所述第二充电二极管阴极相连； 位于所述钝化层上表面的第二层金属；所述第二层金属包括分别形成第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第一充电二极管阳极、第二充电二极管阳极、第一电容阳极板和第二电容阴极板的金属；其中，所述第一端口、所述第二电容阴极板和所述第一充电二极管阳极相连，所述第一电容阳极板、所述第二充电二极管阳极和所述第四端口相连； 第一层间互连金属；所述第一层间互连金属连接所述第二端口和所述第一电容阴极板； 第二层间互连金属；所述第二层间互连金属连接所述第二充电二极管阳极和所述第一充电二极管阴极； 第三层间互连金属；所述第三层间互连金属连接所述第三端口和所述第二充电二极管阴极。

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