买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州东微半导体股份有限公司申请的专利IGBT器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411371352.8，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权IGBT器件的制造方法是由刘伟;王鹏飞;陈鑫;刘磊设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于IGBT器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件的制造方法，包括：在n型半导体层内形成若干个第一沟槽；通过倾斜的离子注入在型半导体层内形成位于第一沟槽一侧的沟道注入区，通过两次倾斜的离子注入形成p型体区；通过垂直的离子注入形成n型电荷存储区；通过倾斜的离子注入形成n型源区；通过自对准工艺形成第一栅极和第二沟槽；在第二沟槽形成第二栅极。本发明可以减少IGBT器件制造过程中的光刻工艺次数，降低IGBT器件的制造成本。

本发明授权IGBT器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括： 在提供的n型半导体层上形成第一绝缘层，对所述第一绝缘层和所述n型半导体层进行刻蚀，在所述n型半导体层内形成若干个第一沟槽； 向所述第一沟槽的一侧进行倾斜的离子注入，在所述n型半导体层内形成位于所述第一沟槽一侧的沟道注入区； 向所述第一沟槽的两侧分别进行倾斜的离子注入，在所述n型半导体层内形成位于所述第一沟槽两侧的p型体区； 进行垂直的离子注入，在所述n型半导体层内形成位于所述第一沟槽下方的n型电荷存储区； 在所述第一沟槽的表面形成栅介质层，之后形成第一导电层并回刻，回刻后剩余的所述第一导电层的上表面低于所述n型半导体层的上表面； 向所述第一沟槽的两侧分别进行倾斜的离子注入，在所述p型体区内形成n型源区； 形成第二绝缘层并回刻，在所述第一沟槽的两侧分别形成位于所述第一导电层之上的侧墙，以所述第一绝缘层和所述侧墙为掩膜对所述第一导电层进行刻蚀，刻蚀后剩余的所述第一导电层在所述第一沟槽的两侧分别形成第一栅极； 以所述第一绝缘层和所述侧墙为掩膜对所述栅介质层和所述n型半导体层进行刻蚀，在所述n型半导体层内形成第二沟槽； 覆盖所形成的结构形成第三绝缘层，之后形成第二导电层并回刻，刻蚀后剩余的所述第二导电层在所述第二沟槽内形成第二栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州东微半导体股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。