湘潭大学杨红姣获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411327640.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及制作方法是由杨红姣;邓俊;汪洋;陈浩天;周峰峰;刘威设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及其制作方法，本发明在单向可控硅的基础进行了改进。本发明在单向可控硅的NW中内嵌了一个肖特基二极管、PW中内嵌了一个P+区域，肖特基二极管和内嵌的P+区域通过金属线连接。本发明在传统的单向可控硅静电防护器件的基础上嵌入了一个反向肖特基二极管触发结构，可有效地降低SCR的触发电压；本发明引入的肖特基二极管还增大了单向可控硅的阴阳极间距，可有效提升SCR的维持电压和器件的散热能力；本发明的硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流和低触发电压的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。
本发明授权肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括：P型衬底，所述P型衬底上方设有第一N阱与第一P阱； 所述P型衬底上从左往右依次设有第一N阱与第一P阱；所述第一N阱上从左往右依次设有第一N+注入、第一P+注入、第二P+注入、第一金属和第三P+注入；所述第一P阱中从左往右依次设有第四P+注入、第二N+注入以及第五P+注入； 所述第一N阱中的第一N+注入、第一P+注入两个电极均连接在一起并做器件的阳极；所述第一N阱中的第二P+注入和第三P+注入没有电极，处于浮空状态；第一P阱中的第二N+注入与第五P+注入两个电极连接在一起并做器件的阴极；第一N阱中的第一金属与第一P阱的第四P+注入通过金属线连接在一起，不接电位。
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