联合微电子中心有限责任公司黄俊获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利静电保护装置、制备方法及电子产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208321B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411301652.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电保护装置、制备方法及电子产品是由黄俊;宁宁;彭路露;李仁雄;丁琦设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电保护装置、制备方法及电子产品在说明书摘要公布了：本发明提供一种静电保护装置、制备方法及电子产品，包括：衬底、第一阱区、第二阱区、第三阱区、源区、漏区及栅极结构；其中，漏区配置为多个具有不同导电类型的掺杂区，根据需要排布，以在ESDMOS中集成SCR结构，以此提高二次击穿电流；并利用不同区域形成限流电阻，进而达到提高二次击穿电流、减小光罩成本的目的；还通过版图的优化减小面积，且本发明与CMOS工艺兼容。
本发明授权静电保护装置、制备方法及电子产品在权利要求书中公布了：1.一种静电保护装置，其特征在于，所述静电保护装置至少包括： 衬底、第一阱区、第二阱区、第三阱区、源区、漏区及栅极结构； 所述第一阱区、所述第二阱区及所述第三阱区形成于所述衬底中，且所述第一阱区位于所述第二阱区与所述第三阱区之间；所述栅极结构形成于所述第一阱区上；所述源区包括形成于所述第二阱区与所述第一阱区中的第一掺杂区域； 其中，所述漏区包括形成于所述第三阱区与所述第一阱区中的第五掺杂区域以及形成于所述第三阱区中的第六掺杂区域、第七掺杂区域和第八掺杂区域，所述第六掺杂区域、所述第七掺杂区域及所述第八掺杂区域沿着沟道宽度方向依次排布在所述第五掺杂区域外侧，漏端电极设置于所述第六掺杂区域、所述第七掺杂区域及所述第八掺杂区域上；所述第五掺杂区域上覆盖有金属硅化物阻挡层； 所述衬底、所述第一阱区及所述第七掺杂区域具有第一导电类型，所述第二阱区、所述第三阱区、所述第一掺杂区域、所述第五掺杂区域、所述第六掺杂区域及所述第八掺杂区域具有第二导电类型。
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