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龙图腾网获悉矽电半导体设备(深圳)股份有限公司申请的专利半导体处理设备及半导体处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411446940.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体处理设备及半导体处理方法是由胡耿涛;林生财设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体处理设备及半导体处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体处理设备及半导体处理方法，其中半导体处理设备包括：输送装置，用于平移地输送载物圆片，载物圆片包括底片和半导体圆片；边缘空白剔除装置，包括升降机构和吸取机构，吸取机构包括若干吸取件，若干吸取件沿半导体圆片的周向布置，吸取件用于吸取半导体圆片的边缘空白；风干装置；不良品剔除装置，包括磁吸机构和收集件，磁吸机构位于载物圆片的上方，磁吸机构用于吸取不良芯片，收集件位于磁吸机构和载物圆片的下方，待载物圆片移走后，不良芯片下落至收集件。本发明的一种半导体处理设备及半导体处理方法，能够提高去除不良品的效率，同时，高效地去除半导体圆片的边缘空白。

本发明授权半导体处理设备及半导体处理方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括： 输送装置，用于平移地输送载物圆片，所述载物圆片包括底片100和半导体圆片110，所述底片100的顶部设置有酒精，所述半导体圆片110放置于所述底片100上，所述半导体圆片110的不良芯片120被磁性墨水标记； 边缘空白剔除装置130，包括升降机构140和吸取机构150，所述升降机构140用于将所述载物圆片从所述输送装置提升至所述吸取机构150，所述吸取机构150包括若干吸取件160，若干所述吸取件160沿所述半导体圆片110的周向布置，所述吸取件160用于吸取所述半导体圆片110的边缘空白170，待吸取完毕后，所述升降机构140用于将所述载物圆片放回所述输送装置； 风干装置180，位于所述边缘空白剔除装置130的下游，用于清除所述半导体圆片110和所述底片100之间的酒精和静电； 不良品剔除装置190，位于所述风干装置180的下游，包括磁吸机构200和收集件210，所述磁吸机构200位于所述载物圆片的上方，所述磁吸机构200用于吸取所述不良芯片120，以使所述不良芯片120与所述载物圆片分离，所述收集件210位于所述磁吸机构200和所述载物圆片的下方，待所述载物圆片移走后，所述磁吸机构200的吸力减弱或消失，所述不良芯片120下落至所述收集件210。

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