浙江创芯集成电路有限公司王爽获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411281671.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及形成方法是由王爽;许凯;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底内形成第一浅沟槽隔离结构；在衬底内形成漂移区，第一浅沟槽隔离结构位于漂移区内，漂移区包括第一漂移区和与第一漂移区相邻的第二漂移区，第一漂移区内的离子浓度大于第二漂移区内的离子浓度，第一浅沟槽隔离结构的一侧和部分底部位于第二漂移区内；在衬底表面形成栅极结构，栅极结构覆盖第二漂移区的表面且延伸至第一漂移区内的部分第一浅沟槽隔离结构的表面；增加了耗尽区的展宽，让电场尽可能平均分布，提高发生雪崩击穿的难度，从而大大提高击穿电压，提升半导体结构的质量，具有较广泛的适用范围。
本发明授权半导体结构及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底内形成第一浅沟槽隔离结构； 在所述衬底内形成漂移区，所述第一浅沟槽隔离结构位于所述漂移区内，所述漂移区包括第一漂移区和与所述第一漂移区相邻的第二漂移区，所述第一漂移区内的离子浓度大于所述第二漂移区内的离子浓度，所述第一浅沟槽隔离结构的一侧和部分底部位于所述第二漂移区内； 在所述衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第二漂移区的表面且延伸至所述第一漂移区内的部分所述第一浅沟槽隔离结构的表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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