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龙图腾网获悉上海明达微电子有限公司申请的专利一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119165911B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411153416.7，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路是由潘俊;邱雷;何龙;叶升设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路，属于集成电路技术领域，包括电压基准源、内部LDO电路、电压跟随器、滤波电路和非交叠时钟产生电路；所述内部LDO电路的第一误差放大器EA1的输出端与输出级电路中的PMOS管PM511的栅极连接，滤波电路的PMOS管PM303的源极和PMOS管PM301的源极都与PMOS管PM511的漏极连接，PMOS管PM303的栅极与上电OK检测电路输出端连接，PMOS管PM303的漏极与PMOS管PM302的漏极、电容Cbig的正极连接；PMOS管PM301的漏极与PMOS管PM302的源极、电容Csmall的正极连接；电压跟随器的第二误差放大器EA2的输入正端与电容CF1的正极连接，第二误差放大器EA2的输出端与PMOS管PM622的栅极连接。本发明以较低的功耗实现了高PSRRLDO架构，降低性能要求，大大降低了系统的开销。

本发明授权一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路在权利要求书中公布了：1.一种高电源抑制比低噪声LDO实现电路，其特征在于，包括电压基准源、内部LDO电路1、电压跟随器2、滤波电路3和非交叠时钟产生电路； 所述内部LDO电路1包括第一误差放大器EA1、第一偏置电路、输出级电路、相位补偿网络电路和上电OK检测电路；电压基准源的输入VREF与第一误差放大器EA1的输入正端连接，第一误差放大器EA1的输出端与输出级电路中的PMOS管PM511的栅极连接，输出级电路中的PMOS管PM511的源极与电源VIN连接，输出级电路中的PMOS管PM511的漏极与电阻分压器R501的一端连接，电阻分压器R501的另一端同时与第一误差放大器EA1的输入负端、电阻R502的一端连接，电阻R502的另一端接地；PMOS管PM511的漏极与上电OK检测电路的一个输入端连接，上电OK检测电路的另一端输入端与电源VIN连接； 相位补偿网络电路与输出级电路中PMOS管PM511的栅极连接； 第一偏置电路与第一误差放大器EA1、上电OK检测电路电连接； 滤波电路3包括PMOS管PM301、PMOS管PM302、PMOS管PM303、电阻RF1、电容Csmall、电容Cbig和电容CF1，PMOS管PM303的源极和PMOS管PM301的源极都与PMOS管PM511的漏极连接，PMOS管PM303的栅极与上电OK检测电路输出端连接，PMOS管PM301的栅极与非交叠时钟产生电路的输出信号PH1b连接，PMOS管PM303的漏极与PMOS管PM302的漏极、电容Cbig的正极连接，电容Cbig的负极接地；PMOS管PM301的漏极与PMOS管PM302的源极、电容Csmall的正极连接，电容Csmall的负极接地；PMOS管PM302的的栅极与非交叠时钟产生电路的输出信号PH2b连接，电容Cbig的正极与电阻RF1的一端连接，电阻RF1的另一端与电容CF1的正极连接，电容CF1的负极接地； 电压跟随器2包括第二误差放大器EA2和PMOS管PM622，第二误差放大器EA2的输入正端与电容CF1的正极连接，第二误差放大器EA2的输入负端与电源VOUT连接，第二误差放大器EA2的输出端与PMOS管PM622的栅极连接，PMOS管PM622的源极与电源VIN连接，PMOS管PM622的漏极与电源VOUT连接。

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