中国科学院上海硅酸盐研究所刘岩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种缓解氧化钇透明陶瓷和金属电场辅助快速连接残余应力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119143519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310708065.0，技术领域涉及：C04B37/02；该发明授权一种缓解氧化钇透明陶瓷和金属电场辅助快速连接残余应力的方法是由刘岩;张珂颖;李天宇;刘学建;黄政仁设计研发完成，并于2023-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种缓解氧化钇透明陶瓷和金属电场辅助快速连接残余应力的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种缓解氧化钇透明陶瓷和金属电场辅助快速连接残余应力的方法。所述缓解氧化钇透明陶瓷和金属电场辅助快速连接残余应力的中间层连接材料包括从氧化钇透明陶瓷侧起的硬金属中间层、复合中间层或软金属中间层；所述硬金属中间层选用Ti、Cr，软金属中间层选用Ni、Al，复合中间层选用TiNi、TiAl、CrNi或CrAl。
本发明授权一种缓解氧化钇透明陶瓷和金属电场辅助快速连接残余应力的方法在权利要求书中公布了：1.一种缓解氧化钇透明陶瓷和金属电场辅助快速连接残余应力的方法，其特征在于，包括： 1采用磁控溅射法在经磨削、抛光和超声清洗预处理后的氧化钇透明陶瓷的待连接面上制备中间层；所述中间层为复合中间层，复合中间层选用TiNi、TiAl、CrNi或CrAl；复合中间层中硬金属中间层Ti、Cr靠近氧化钇透明陶瓷侧，软金属中间层Ni、Al靠近待连接金属侧，使热膨胀系数实现梯度过渡，有效缓解残余应力；复合中间层的厚度为600～800nm；复合中间层中硬金属中间层的厚度为300～400nm，软金属中间层的厚度为300～400nm； 2按照第一电极氧化钇透明陶瓷中间层金属第二电极的次序装配形成待连接样品并置于电场辅助扩散连接装置中，对待连接样品施加0.1～1MPa的轴向压力，在真空度≤6×10-3Pa时将其加热至875～925℃并通过电极对待连接样品施加电场，当电流密度达到1～5mAmm2后继续通电保温30～180s，最后以3～5℃min的降温速率冷却至室温，得到氧化钇透明陶瓷中间层金属连接件；所述金属为钛基合金、铁基合金或者蒙乃尔合金中的一种。
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