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矽电半导体设备(深圳)股份有限公司吴贵阳获国家专利权

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龙图腾网获悉矽电半导体设备(深圳)股份有限公司申请的专利平台支撑补偿方法和装置、支撑平台、电子设备及介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119133017B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411227503.2,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权平台支撑补偿方法和装置、支撑平台、电子设备及介质是由吴贵阳设计研发完成,并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

平台支撑补偿方法和装置、支撑平台、电子设备及介质在说明书摘要公布了:本申请实施例提供了一种平台支撑补偿方法和装置、支撑平台、电子设备及介质,属于半导体设备制造领域。该方法应用于支撑平台,平台的第一表面用于放置材料加工元件,第二表面设有固定支撑点和辅助支撑点以支撑平台。方法包括:基于支撑平台构建平台仿真结构;对目标仿真支撑点仿真施加支撑力,得到第一形变值;根据第一形变值和支撑力进行计算,得到第一形变系数;根据第一形变值、第一形变系数和目标仿真支撑点的初始形变值进行计算,得到在平台仿真结构的仿真形变值为零时对目标仿真支撑点施加的目标支撑力;根据目标支撑力和目标仿真位置对平台仿真结构进行支撑补偿。本实施例能够提高对支撑平台进行支撑补偿的准确性,进而提高平台的平整度。

本发明授权平台支撑补偿方法和装置、支撑平台、电子设备及介质在权利要求书中公布了:1.一种平台支撑补偿方法,其特征在于,所述平台支撑补偿方法应用于支撑平台,所述支撑平台的第一表面用于放置材料加工元件,所述支撑平台的第二表面设有固定支撑点和辅助支撑点,所述第二表面为所述第一表面的相对面,所述辅助支撑点包括第一辅助支撑点,对所述固定支撑点和所述辅助支撑点施加支撑力以支撑所述支撑平台,所述方法包括: 基于所述支撑平台构建平台仿真结构,所述平台仿真结构包括所述第一辅助支撑点对应的目标仿真支撑点; 对所述目标仿真支撑点仿真施加预设的支撑力,得到所述目标仿真支撑点的第一形变值; 根据所述第一形变值和所述支撑力进行计算,得到所述目标仿真支撑点的第一形变系数; 获取所述平台仿真结构上目标数量的所述目标仿真支撑点对应的目标仿真位置; 根据所述第一形变值、所述第一形变系数和所述目标仿真支撑点的初始形变值进行计算,得到在所述平台仿真结构的仿真形变值为零时对所述目标仿真支撑点施加的目标支撑力; 根据所述目标支撑力和所述目标仿真位置对所述平台仿真结构进行支撑补偿。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人矽电半导体设备(深圳)股份有限公司,其通讯地址为:518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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