浙江大学时尧成获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于铁电畴调控的铌酸锂薄膜波导倍频器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119126453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411071323.X，技术领域涉及：G02F1/35；该发明授权一种基于铁电畴调控的铌酸锂薄膜波导倍频器件制备方法是由时尧成;李瀚文;宋立甲;刘卫喜;刘柳;吴洲熠设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于铁电畴调控的铌酸锂薄膜波导倍频器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于铁电畴调控的铌酸锂薄膜波导倍频器件制备方法；在铌酸锂薄膜表面旋涂光刻胶，利用光刻技术转移图形后镀膜、剥离形成电极，再对电极应用高压电脉冲，通过电极中绝缘层材料和厚度来控制铌酸锂薄膜内部电场大小及反转畴生长过程，从而控制铁电畴反转深度，最终再次旋涂光刻胶、光刻转移图形后干法刻蚀得到倍频波导器件。本发明提出的倍频波导器件制备方法具有加工方法简单，制备器件效率高、损耗低的特点，满足非线性光学、集成光学等领域的实际需求。
本发明授权一种基于铁电畴调控的铌酸锂薄膜波导倍频器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于铁电畴调控的铌酸锂薄膜波导倍频器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、首先利用有机溶剂清洗铌酸锂薄膜表面，旋涂紫外光刻胶，通过紫外光刻方法得到镀膜所需掩膜，通过电子束蒸发方法，依次生长绝缘层、连接层、金属层薄膜，通过剥离方法，在铌酸锂薄膜表面形成电极； 步骤2、对于铌酸锂薄膜表面电极，使用铁电畴调控技术，应用高压电脉冲极化，根据需求通过电极绝缘层材料和厚度控制铌酸锂薄膜内部电场大小及反转畴生长过程，将接近薄膜表面相应深度的铌酸锂的铁电畴方向反转，形成双层铁电畴方向相反的薄膜铌酸锂结构； 步骤3、利用有机溶剂清洗步骤2处理后的铌酸锂薄膜表面，旋涂电子束光刻胶，通过电子束或紫外曝光方法，得到波导图案掩膜，并通过干法刻蚀转移到铌酸锂薄膜形成脊型波导结构； 步骤4、利用无机溶剂清洗脊型波导，去除残胶及表面污染物，对脊型波导端面进行研磨抛光，即可得到基于铁电畴调控技术的铌酸锂薄膜波导倍频器件。
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