长鑫存储技术有限公司李泽伦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310647625.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构及其制备方法、存储器是由李泽伦设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法、存储器，涉及半导体技术领域，用于解决栅极对沟道控制能力差的技术问题，该半导体结构包括柱状的第一栅极、半导体层和环状的第二栅极，第一栅极沿第一方向延伸；半导体层包覆第一栅极的至少部分外周面；第二栅极包覆半导体层的至少部分外周面；第二栅极在半导体层上投影区域为沟道区；其中，半导体层中位于沟道区两侧的区域分别为源极区和漏极区；第一栅极与半导体层之间，以及第二栅极与半导体层之间均设置有栅介质层。本公开通过双栅极的设置，可以提高栅极对沟道区的控制能力。
本发明授权半导体结构及其制备方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括晶体管，所述晶体管包括： 柱状的第一栅极，所述第一栅极沿第一方向延伸，沿所述第一方向，所述第一栅极包括相对设置的第一端面和第二端面； 半导体层，所述半导体层包覆所述第一栅极的至少部分外周面，以及包覆所述第一栅极的第一端面； 环状的第二栅极，所述第二栅极包覆所述半导体层的至少部分外周面；所述第二栅极在所述半导体层上投影区域为沟道区；其中，所述半导体层中位于所述沟道区两侧的区域分别为源极区和漏极区；所述第一栅极与所述半导体层之间，以及所述第二栅极与所述半导体层之间均设置有栅介质层； 其中，所述半导体结构还包括第一接触结构和第二接触结构，沿所述第一方向，所述第一接触结构和所述第二接触结构分别位于所述第二栅极的两侧，并与所述第二栅极和所述第一栅极绝缘设置；其中，所述第一接触结构和所述第二接触结构中其中一个与所述源极区连接，另外一个与所述漏极区连接。
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