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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119096357B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202480002317.0，技术领域涉及：H01L23/12；该发明授权半导体装置是由大桥卓史;今村武司;胜田浩人设计研发完成，并于2024-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置1具备：半导体层40；形成于半导体层40的第1纵型MOS晶体管10及第2纵型MOS晶体管20；金属层30，与半导体层40的背面侧整面接触连接；以及支承体42，经由粘接剂41而与金属层30的背面侧接合；在平面观察中，支承体42比半导体层40面积大并且将半导体层40包含在内；支承体42的厚度比半导体层40的厚度大；在包括平面观察中的半导体层40的中心和半导体层40的外周的、半导体装置1的剖视中，沿着半导体层40的侧面的粘接剂41的高度低于半导体层40的上表面；在剖视中，从半导体装置1中将支承体42及粘接剂41除外了的半导体芯片2是向接近支承体42的方向凸的弯曲形状。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的半导体装置，其特征在于， 具备： 半导体衬底； 低浓度杂质层，形成在上述半导体衬底的表面侧； 第1纵型MOS晶体管，在将上述半导体衬底和上述低浓度杂质层一起作为半导体层的情况下形成在上述半导体层的第1区域； 第2纵型MOS晶体管，在上述半导体层的平面观察中形成在与上述第1区域相邻的第2区域； 金属层，与上述半导体衬底的背面侧整面接触连接；以及 支承体，经由粘接剂而与上述金属层的背面侧接合； 在上述平面观察中，上述支承体相比于上述半导体层而言面积大，并且将上述半导体层包含在内； 上述支承体的厚度比上述半导体层的厚度大； 在包括上述平面观察中的上述半导体层的中心和上述半导体层的外周的、上述半导体装置的剖视中，沿着上述半导体层的侧面的上述粘接剂的高度低于上述半导体层的上表面； 当在上述剖视中观察上述半导体装置中的除了上述支承体及上述粘接剂以外的半导体芯片时，上述半导体芯片是向接近上述支承体的方向凸的弯曲形状； 当设上述半导体芯片的弯曲量为以μm为单位的w，设在上述平面观察中从上述半导体层的外周到上述支承体的外周的最接近距离中的最小的长度为以μm为单位的M时， －0.75×w+135.3≤M≤－1.5×w+270.6的关系成立。

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