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龙图腾网获悉广州天极电子科技股份有限公司申请的专利一种双侧接地型薄膜电阻器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092239B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411270001.8，技术领域涉及：H01C17/075；该发明授权一种双侧接地型薄膜电阻器的制备方法是由赖辉信;江雪强;李杰成设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双侧接地型薄膜电阻器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜电路制作技术领域，具体涉及一种双侧接地型薄膜电阻器的制备方法。本发明先在绝缘基板的正面制备正面功能层和正面电阻层，得到正面电阻器半成品后，将所述正面电阻器半成品进行激光调阻，然后再对正面电阻器半成品的绝缘基板进行开槽，本发明通过调整开槽的步骤实现了在产品完成正面独立的半产品制备后，进行准确测量的前提下，优先进行激光调阻，然后再进行绝缘基板的开槽，最后制作侧壁和背面金属化接地导通，本发明提供的制备方法得到的双侧接地型薄膜电阻器产品的电阻精度小于±1％，极大提高双侧接地型薄膜电阻器的对准精度和激光调阻效率。

本发明授权一种双侧接地型薄膜电阻器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双侧接地型薄膜电阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在绝缘基板的正面进行第一沉积，得到第一半成品，所述第一沉积包括依次沉积正面电阻膜、正面黏附膜、正面阻挡膜和正面种子膜； 2在所述第一半成品的正面涂覆光刻胶，然后使用掩膜版将正面功能层的图案转移至第一半成品的正面上，显影后形成正面功能层图案化表面，得到第一图案化半成品； 3将所述第一图案化半成品进行第一电镀，然后去除光刻胶，得到正面电镀层，对正面电镀层区域以外的正面种子膜、正面阻挡膜和正面黏附膜进行刻蚀，得到正面黏附层、正面阻挡层和正面种子层，所述正面种子层和所述正面电镀层形成正面功能层，得到第二半成品； 4在所述第二半成品的正面涂覆光刻胶，然后使用掩膜版将正面电阻层图案转移至第二半成品的正面，显影后形成正面电阻层图案化表面，得到第二图案化半成品； 5将所述第二图案化半成品的电阻层图案化表面进行刻蚀，然后去除光刻胶，在所述绝缘基板的正面形成正面电阻层，得到正面电阻器半成品； 6将所述正面电阻器半成品进行激光调阻，然后对绝缘基板进行开槽，所述开槽的位置接触所述正面功能层的边缘，得到具有穿透槽的半成品； 7在所述具有穿透槽的半成品的背面和穿透槽的侧壁进行第二沉积，得到第三半成品；所述第二沉积包括依次沉积背面黏附膜和侧壁黏附层、背面阻挡膜和侧壁阻挡层、背面种子膜和侧壁种子层； 8将所述第三半成品进行第二电镀，得到第四半成品； 9得到第四半成品后，或者将所述第四半成品的背面涂覆光刻胶，然后使用掩膜版将背面功能层图案转移至第四半成品的背面，显影后进行刻蚀，去除光刻胶后，在绝缘基板的背面得到背面黏附层、背面阻挡层、背面种子层和背面电镀层，所述背面种子层和背面电镀层形成背面功能层；再去除所述第四半成品正面电阻层表面的第二电镀时形成的电镀膜后，得到所述双侧接地型薄膜电阻器； 或者去除所述第四半成品的正面电阻层表面的第二电镀时形成的电镀膜；然后将所述第四半成品的背面涂覆光刻胶，使用掩膜版将背面功能层图案转移至第四半成品的背面，显影后进行刻蚀，去除光刻胶后，在绝缘基板的背面得到背面黏附层、背面阻挡层、背面种子层和背面电镀层，所述背面种子层和背面电镀层形成背面功能层，得到所述双侧接地型薄膜电阻器。

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