广东工业大学杨玉珏获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种具有宽窗口铁电调控滞回效应的铁电场效应管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119029022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411031634.3，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权一种具有宽窗口铁电调控滞回效应的铁电场效应管及其制备方法是由杨玉珏;李梓煜;董华锋;霍能杰;张欣;吴福根设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有宽窗口铁电调控滞回效应的铁电场效应管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有宽窗口铁电调控滞回效应的铁电场效应管及其制备方法，包括层叠于衬底上的石墨烯层、薄介电、二维铁电AgInP2Se6层和p型二维半导体通道层，p型二维半导体通道层的两端设置有源极和漏极，石墨烯层上设置有栅极；薄介电层与二维铁电AgInP2Se6层之间电容匹配，在源漏电压一定的条件下，对栅极电压进行扫描，铁电场效应晶体管表现出出色的铁电电流调控特性，其铁电窗口随着扫描栅压的增大而增大,当Vgs的扫描范围至‑4V时,其窗口大小大约至4V，呈现出了宽的铁电窗口。
本发明授权一种具有宽窗口铁电调控滞回效应的铁电场效应管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有宽窗口铁电调控滞回效应的铁电场效应管，其特征在于，包括衬底，位于衬底上的石墨烯层，位于石墨烯层上的薄介电层，位于薄介电层上的二维铁电AgInP2Se6层，位于二维铁电AgInP2Se6层上的p型二维半导体通道层，位于p型二维半导体通道层两端的源极和漏极，以及位于石墨烯层上的栅极； 其中，所述薄介电层与所述二维铁电AgInP2Se6层之间电容匹配。
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