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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利一种CrSi电阻薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118979223B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411077397.4，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种CrSi电阻薄膜的制备方法是由苏越;常育宽;吴家涛;肖明珂;王源;张旭;陈弘达设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CrSi电阻薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CrSi电阻薄膜的制备方法、飞秒激光等离子通道退火装置和近红外飞秒激光诱导背面去除装置，该CrSi电阻薄膜的制备方法包括在氧化硅片衬底上镀制铬硅镍钼金属薄膜；采用近红外飞秒激光诱导背面去除选定区域的铬硅镍钼金属薄膜；在铬硅镍钼金属薄膜上形成铝铜合金电极；采用飞秒激光等离子通道退火技术热处理步骤S3的铬硅镍钼金属薄膜；在热处理后的铬硅镍钼金属薄膜上图案化PI钝化层。该制备方法制备得到的CrSi电阻薄膜边缘粗糙度较低，薄膜电阻的精度和稳定性较高。

本发明授权一种CrSi电阻薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CrSi电阻薄膜的制备方法，其特征在于，包括： S1、在氧化硅片衬底上镀制铬硅镍钼金属薄膜； S2、采用近红外飞秒激光诱导背面去除选定区域的铬硅镍钼金属薄膜； S3、在铬硅镍钼金属薄膜上形成铝铜合金电极； S4、采用飞秒激光等离子通道退火技术热处理步骤S3的铬硅镍钼金属薄膜； S5、在热处理后的铬硅镍钼金属薄膜上图案化PI钝化层； 采用磁控溅射方法在氩气和氮气的氛围下在氧化硅片衬底上镀制铬硅镍钼金属薄膜； 铬、硅、镍和钼的质量分数分别为40%，55%，3%，2%，在磁控溅射过程中，所述氩气和氮气流量比为300-500:1； 所述近红外飞秒激光诱导的激光脉冲能量为0.2-0.5μJ，扫描速度为2-5mms，扫描间距为1-3um； 采用硬质掩模版的方式制备铝铜合金电极，其中硬质掩模版是基于飞秒激光光丝烧蚀技术制备而成，铝铜合金厚度为1.0-1.2μm； 通过第二装置采用飞秒激光等离子通道退火技术热处理步骤S3的铬硅镍钼金属薄膜，所述第二装置包括按照光传播方向布置的飞秒激光放大器、电控光闸、λ2波片、偏振立方分束器、4X扩束镜、光束整形系统、扫描振镜系统和焦距为20cm的聚焦镜以及带有腔室的样品台； 所述飞秒激光放大器用于产生飞秒激光脉冲，激光脉冲波长为800nm，脉宽为30fs； 所述电控光闸用于控制飞秒激光脉冲的通过与截止； 所述λ2波片和偏振立方分束器用于控制飞秒激光脉冲的功率和偏振状态； 所述4X扩束镜用于扩大飞秒激光脉冲的直径； 所述光束整形系统用于对飞秒激光脉冲进行整形并实现光束匀化，保证出射到铬硅镍钼金属薄膜的飞秒激光脉冲的能量分布均匀； 所述扫描振镜系统用于调控飞秒激光脉冲的光束方向，使得飞秒激光能够照射到铬硅镍钼金属薄膜的指定区域； 所述聚焦镜用于将飞秒激光进行聚焦形成等离子体通道，所述等离子体通道位于铬硅镍钼金属薄膜的前方； 所述等离子体通道位于铬硅镍钼金属薄膜的前方0.3-0.5mm处； 所述飞秒激光等离子通道退火技术的激光脉冲能量为1.5-2.0mJ，扫描速度为20-50mms，扫描间距为200-250um。

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