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龙图腾网获悉上海鼎阳通半导体科技有限公司申请的专利IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411031051.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件及其制造方法是由陈为真设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT器件的制造方法，包括：步骤一、形成漂移区。步骤二、形成体区，包括：步骤21、按照IGBT器件的阈值电压所满足的阈值电压要求值设置体区的注入剂量总和。步骤22、将注入剂量总和拆分成多个单次注入剂量。步骤23、2次以上的第二导电类型的体区注入以形成体区。各次体区注入采用对应的单次注入剂量；各次体区注入的注入能量不同且各体区注入的注入能量按照导电沟道的长度要求进行设置，导电沟道的长度由IGBT的饱和电流确定，各体区注入的注入能量的设置使IGBT的饱和电流降低到短路能力所要求的值。步骤三、形成穿过体区的沟槽栅。步骤四、形成发射区。步骤五、形成集电区。本发明还公开了一种IGBT器件。本发明能提高器件的短路能力。

本发明授权IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括： 漂移区，由形成于半导体衬底表面的第一导电类型轻掺杂区组成； 第二导电类型掺杂的体区，形成于所述漂移区表面； 在所述漂移区的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区； 穿过所述体区的沟槽栅； 在所述体区的表面形成有第一导电类型重掺杂的发射区，所述发射区和所述沟槽栅的侧面自对准； 被所述沟槽栅侧面覆盖的所述体区的表面用于形成导电沟道； 所述体区由2次或3次的第二导电类型的体区注入形成的体区注入区叠加而成； 各所述体区注入区同时形成IGBT器件的短路能力提升结构和阈值电压设置结构； 所述阈值电压设置结构用于使所述IGBT器件的阈值电压满足阈值电压要求值，所述阈值电压由所有次数的所述体区注入的注入剂量总和确定； 所述短路能力提升结构由各次所述体区注入的注入能量确定，各次所述体区注入的注入能量不同且各所述体区注入的注入能量按照所述导电沟道的长度要求进行设置，各所述体区注入的注入能量的设置使所述导电沟道的长度增加到使所述IGBT的饱和电流的大小满足要求，以使所述IGBT器件的短路能力满足要求； 按照注入能量由低到高的顺序排列，第二次所述体区注入的注入能量为第一次所述体区注入的注入能量的1.5倍～2倍； 所述体区注入的次数为3次时，第三次所述体区注入的注入能量为第一次所述体区注入的注入能量的2.5倍～3.5倍； 各所述体区注入两两之间对应的单次注入剂量的差值小于等于1e13cm-2。

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