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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310515431.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由薛兴坤;崔相弦;脱穷;徐汉东;顾婷婷;李泽伦;董海洋;王朝辉设计研发完成，并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：公开一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供具有凹槽的基底；形成第一薄膜，第一薄膜位于凹槽的底面；对第一薄膜进行第一离子注入工艺，以使第一薄膜内具有第一掺杂离子；形成第二薄膜，第二薄膜位于第一薄膜表面、凹槽的内壁面以及第二面；形成栅导电层，栅导电层位于凹槽内；对位于第二面的第二薄膜进行第二离子注入工艺，以使位于第二面的第二薄膜内具有第二掺杂离子；对第二薄膜以及第一薄膜进行退火处理工艺以使部分第二薄膜内具有第一掺杂离子；具有第一掺杂离子的第一薄膜以及第二薄膜作为第一源漏区，具有第二掺杂离子的第二薄膜作为第二源漏区，剩余的第二薄膜作为沟道区，第一源漏区、第二源漏区以及沟道区构成有源层。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供具有凹槽的基底，所述基底具有相对的第一面以及第二面，所述凹槽自所述第一面向所述第二面延伸； 形成第一薄膜，所述第一薄膜位于所述凹槽的底面； 对所述第一薄膜进行第一离子注入工艺，以使所述第一薄膜内具有第一掺杂离子； 形成第二薄膜，所述第二薄膜位于所述第一薄膜表面、所述凹槽的内壁面以及所述第二面； 形成栅介质层以及栅导电层，所述栅导电层位于所述凹槽内，所述栅介质层位于所述第二薄膜以及所述栅导电层之间； 对位于所述第二面的所述第二薄膜进行第二离子注入工艺，以使位于所述第二面的所述第二薄膜内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与所述第一掺杂离子的导电类型相同； 对所述第二薄膜以及所述第一薄膜进行退火处理工艺以使部分位于所述第一薄膜与所述栅介质层之间的所述第二薄膜内具有所述第一掺杂离子；其中，具有所述第一掺杂离子的所述第一薄膜以及具有所述第一掺杂离子的所述第二薄膜作为第一源漏区，具有所述第二掺杂离子的所述第二薄膜作为第二源漏区，剩余的所述第二薄膜作为沟道区，所述第一源漏区、所述第二源漏区以及所述沟道区构成有源层。

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