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龙图腾网获悉南京大学申请的专利无需高精度光刻制备平面超细密排沟槽及纳米线的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411090297.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权无需高精度光刻制备平面超细密排沟槽及纳米线的方法是由余林蔚;谢铭瑜;钱文涛;王军转设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本无需高精度光刻制备平面超细密排沟槽及纳米线的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种结合垂直侧壁上的叠层结构和CMP工艺制备平面超细密排沟槽结构，并通过平面固液固的纳米线生长方法，制备出可定位的平面超细密排纳米线，并通过编程引导技术实现阵列化。本发明有望突破长期以来由于光刻技术限制无法大规模集成制备平面超细纳米线的关键技术瓶颈，在低热预算、微米级别光刻精度下且能够在没有高晶格质量的晶圆衬底上实现平面超细纳米线阵列，可大规模运用于三维集成的后端。

本发明授权无需高精度光刻制备平面超细密排沟槽及纳米线的方法在权利要求书中公布了：1.无需高精度光刻制备平面超细密排沟槽及纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1利用掩膜板光刻技术在衬底上定义边缘图案，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述衬底形成具有垂直侧壁的突出形貌； 2以第一步定义的边缘图案为衬底，在所述衬底上循环交替淀积两种不同介质层； 3利用CMP工艺将所述边缘图案顶端垂直方向循环堆叠的介质层去除，将水平方向循环交替的两种介质层暴露； 4用对两种介质层具有不同刻蚀速率的腐蚀性液体处理表面，形成平面密排的生长沟槽； 5以步骤4所形成的平面密排生长沟槽为衬底，再次利用掩膜板光刻技术定义催化金属，通过蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层带状的催化金属层； 6升高温度至催化金属熔点以上，通入还原性气体等离子体进行处理，使催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒； 7将温度降低到催化金属颗粒熔点以下，将整个结构表面淀积覆盖非晶半导体前驱体薄膜层；然后将温度升高至适当温度，使得纳米金属颗粒重新熔化，在其前端开始吸收非晶层，而在后端淀积出晶态的纳米线，在所述生长沟槽的引导下，纳米线沿平面密排的引导沟道生长； 8剩余的非晶半导体前驱体由氢气等离子体、ICP或者RIE等刻蚀工艺去除，得到平面密排的纳米线。

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