中国科学院上海硅酸盐研究所梁瑞虹获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种兼具高机械品质因数和大压电系数的PSN-PZT基压电陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118955128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410884768.3，技术领域涉及：C04B35/493；该发明授权一种兼具高机械品质因数和大压电系数的PSN-PZT基压电陶瓷材料及其制备方法是由梁瑞虹;肖维;陈政燃设计研发完成，并于2024-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种兼具高机械品质因数和大压电系数的PSN-PZT基压电陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种兼具高机械品质因数和大压电系数的PSN‑PZT基压电陶瓷材料及其制备方法。所述PSN‑PZT基压电陶瓷材料的化学组成为Pb1‑xBaxSb0.5Nb0.5yZrzTi1‑y‑zO3‑0.6mol％Mn；其中：0≤x≤0.16，0.01≤y≤0.04，0.50≤z≤0.52。
本发明授权一种兼具高机械品质因数和大压电系数的PSN-PZT基压电陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PSN-PZT基压电陶瓷材料，其特征在于，所述PSN-PZT基压电陶瓷材料的化学组成为Pb1-xBaxSb0.5Nb0.5yZrzTi1-y-zO3-0.6mol%Mn； 其中：0.04≤x≤0.16，0.01≤y≤0.04，0.50≤z≤0.52； 所述PSN-PZT基压电陶瓷材料的制备过程中：烧结的温度为1220-1270℃，保温时间为1-3小时，升温速率为1-3℃min；冷却降温的工艺为先以1-5℃min的速率降温至800-900℃，而后随炉自然冷却至室温。
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