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南开大学黄茜获国家专利权

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龙图腾网获悉南开大学申请的专利一种具有发光层及界面协同钝化效果的585nm钙钛矿发光二极管结构及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118890914B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411198699.7,技术领域涉及:H10K50/11;该发明授权一种具有发光层及界面协同钝化效果的585nm钙钛矿发光二极管结构及制备方法是由黄茜;祝简;石子锐;李典南;潘浩;孙文达;李希艳;张晓丹;赵颖设计研发完成,并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种具有发光层及界面协同钝化效果的585nm钙钛矿发光二极管结构及制备方法在说明书摘要公布了:一种具有发光层及界面协同钝化效果的585nm钙钛矿发光二极管结构及制备方法,通过引入有机阳离子配体PEA+及无机LiF界面钝化层,构建具有低缺陷态密度的准二维PEA‑CsPbBrxI1‑x3钙钛矿发光层材料及器件,形成多重量子阱结构,以增强钙钛矿材料的介电限域效应和激子结合能,实现高效的辐射复合,并钝化载流子传输层与有源层之间的缺陷态密度,降低界面复合,提高了发光量子产率,从而实现钙钛矿发光材料及LED器件关键参数和能量转换效率的提升。

本发明授权一种具有发光层及界面协同钝化效果的585nm钙钛矿发光二极管结构及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种具有发光层及界面协同钝化效果的585nm钙钛矿发光二极管结构的制备方法,包括以下三个部分:第一部分为为了制备能发出黄色光波段的钙钛矿LED器件,首先对发光层薄膜的材料进行卤素调节,将CsPbBr3溶液和CsPbI3溶液按照不同的比例调整发光层的带隙以及发光波长范围;第二部分为在发光层材料中引入PEA有机配体构建准二维PEA-CsPbBrxI1-x3材料,为了保持发光波长不变,需要保持PEABrxI1-x中卤素原子比例与原发光层相同;第三部分为在空穴传输层PEDOT:PSS与PEA-CsPbBrxI1-x3发光层之间及电子传输层TPBi与发光层PEA-CsPbBrxI1-x3之间同步引入LiF界面层,钝化界面缺陷,并构成完整的LED器件;其特征在于:具有低缺陷态密度的准二维PEA-CsPbBrxI1-x3钙钛矿发光层材料,可以形成多重量子阱结构,以增强钙钛矿材料的介电限域效应和激子结合能,实现高效的辐射复合,钝化了的空穴传输层与发光层之间的缺陷,减少了激子的猝灭现象,使载流子的运输效率得以提高,降低了器件的漏电流和开启电压;所述方法对于钙钛矿LED器件的电子传输路径上的界面缺陷问题具有显著改善作用,从而实现器件效率和稳定性的同步提升。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南开大学,其通讯地址为:300071 天津市南开区卫津路94号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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