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龙图腾网获悉瑶光半导体(浙江)有限公司申请的专利外延设备及其进气方法、可读存储介质及计算机设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118835313B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411332071.1，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权外延设备及其进气方法、可读存储介质及计算机设备是由王涛;于海峰;王永;郭军强设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本外延设备及其进气方法、可读存储介质及计算机设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延设备及其进气方法、可读存储介质及计算机设备，涉及半导体制造设备领域。包括如下步骤：获取晶片各个区域的膜厚值；根据获取的各个区域的膜厚值确定与各个区域对应的载气输出件的气流量调节值；通过第一进气结构向反应腔内通入反应气体，通过第二进气结构的多个可独立进气的载气输出件向反应腔内通入载气，每个载气输出件输出的气流量由预设的气流量按照气流量调节值调节后确定，第二进气结构喷出的载气可将第一进气结构喷出的至少部分反应气体下压。本发明的外延设备的进气方法可根据晶片表面各区域的膜厚值控制对应的载气输出件针对性的调节气流场，不影响反应气体的反应并且可以精确调节使得晶片表面厚度更加均匀。

本发明授权外延设备及其进气方法、可读存储介质及计算机设备在权利要求书中公布了：1.一种外延设备的进气方法，其特征在于，包括如下步骤： 获取晶片的上表面各个区域的膜厚值； 根据获取的各个所述区域的所述膜厚值确定与各个所述区域对应的载气输出件的气流量调节值； 通过第一进气结构向反应腔内通入预设气流量的反应气体，所述第一进气结构中从所述反应腔顶部中央伸入所述反应腔中并可向周围输出反应气体，通过第二进气结构的多个可独立进气的所述载气输出件向所述反应腔内通入载气，所述载气输出件围绕所述第一进气结构设置并可向下输出载气，其中每个所述载气输出件输出的气流量由预设的所述气流量按照所述气流量调节值调节后确定，所述第二进气结构喷出的载气可将所述第一进气结构喷出的至少部分反应气体下压并吹向用于承载所述晶片的卫星盘，所述第二进气结构包括开设在上盖底面上朝向所述反应腔并用于喷出载气的多个顶部出气孔，所述顶部出气孔在基座的旋转中心轴线向外分布的多圈同心圆上均匀地排列，每个载气输出件包括一圈或多圈相邻的同心圆上的所述顶部出气孔,所述晶片表面的一条半径分为多段连续的线段，以每段所述线段围绕所述晶片的中心旋转一周形成多个相邻不重叠的同心区域，每个所述区域与一个或多个所述载气输出件对应。

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