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龙图腾网获悉瑶光半导体(浙江)有限公司申请的专利一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118835312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411326162.4，技术领域涉及：H01L21/20；该发明授权一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备是由王涛;于海峰;王永;郭军强设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备，涉及半导体制造设备领域。包括上盖，设于所述反应腔顶部；基座，可转动的设于反应腔内且与所述上盖平行间隔设置；多个卫星盘，呈圆周分布在基座上，用于承载待加工件，其中，所述上盖设有第一进气结构以及第二进气结构；待加工件表面的包括多个同心区域，第二进气结构包括多个与所述区域对应的载气输出件；第二进气结构喷出的载气可将所述第一进气结构喷出的至少部分反应气体下压，通过调节任一个载气输出件的载气流量可改变与所述载气输出件对应的待加工件的区域的薄膜生长速率。本发明通过载气去下压并打散反应气体，使得待加工件上各区域的薄膜生长速度趋于一致，膜厚更加均匀。

本发明授权一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备在权利要求书中公布了：1.一种外延工艺的反应腔室，其特征在于，包括： 反应腔； 上盖，设于所述反应腔顶部； 基座，可转动的设于所述反应腔内且与所述上盖平行间隔设置； 多个卫星盘，呈圆周分布在所述基座上，用于承载待加工件，所述基座可带着所述卫星盘围绕所述基座的旋转中心轴线旋转，所述卫星盘可围绕所述卫星盘的旋转中心轴线旋转； 其中，所述上盖设有第一进气结构以及第二进气结构，所述第一进气结构伸入所述反应腔中且沿着所述基座的旋转中心轴线延伸预设距离，并可向周围的所述反应腔内喷出反应气体；所述第二进气结构围绕所述第一进气结构设置并包括多个可独立进气且用于喷出载气的载气输出件；所述待加工件表面的任一条半径分为多段连续的线段，每段所述线段围绕所述待加工件的中心旋转一周形成多个相邻不重叠的同心区域，每个所述区域与一个或多个所述载气输出件对应；所述第二进气结构喷出的载气可将所述第一进气结构喷出的至少部分反应气体下压并吹向所述卫星盘，当所述卫星盘围绕所述卫星盘的旋转中心轴线旋转时，通过调节任一个所述载气输出件的载气流量可改变与所述载气输出件对应的所述待加工件的区域的薄膜生长速率，所述第二进气结构包括开设在所述上盖底面上朝向所述反应腔并用于喷出载气的多个顶部出气口，所述顶部出气口在所述基座的旋转中心轴线向外分布的多圈同心圆上均匀地排列，每个所述载气输出件包括一圈或多圈相邻的同心圆上的所述顶部出气口。

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