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龙图腾网获悉福建理工大学;中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118812265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410838974.0，技术领域涉及：C04B35/547；该发明授权一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法是由陈洪祥;赵恩慧;张婧;温小椿;樊恒中;张永胜设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法，属于无机非金属材料技术领域。本发明提供的Misfit高熵层状结构化合物的化学式如式I、式II或式III所示：[MX]1+δ[HEMTX2]n式I；[HEMMX]1+δ[TX2]n式II；[HEMMX]1+δ[HEMTX2]n式III；其中，HEMM选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的四种或四种以上；HEMT选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的四种或四种以上；X选自S、Se或Te中的一种或多种；δ＝0.08～0.28；n＝1、2或3。本发明上述化合物具有层状错配结构以及高熵结构的特性，所得到的化合物烧结成块体后展现出一定的热电性能，在低热导、热电材料等应用领域具有较大潜力。同时，制备方法简易，反应周期短，成本低，可以获得高纯度的产物。

本发明授权一系列Misfit高熵层状结构化合物及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一系列Misfit高熵层状结构化合物，其特征在于，所述Misfit高熵层状结构化合物的化学式如式I、式II或式III所示： [MX]1+δ[HEMTX2]n式I； [HEMMX]1+δ[TX2]n式II； [HEMMX]1+δ[HEMTX2]n式III； 其中，M选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的一种；HEMM选自Sn、Pb、Bi、Sb、In、Ge或稀土元素中的四种或四种以上；HEMT选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的四种或四种以上；T选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Os、Rh、Ir、Au、Pd或Pt中的一种； X选自S、Se或Te中的一种或多种；δ＝0.08～0.28；n＝1、2或3。

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