买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广州诺尔光电科技有限公司申请的专利短波红外焦平面阵列芯片及制作方法、传感器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118800824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410866800.5，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权短波红外焦平面阵列芯片及制作方法、传感器及制作方法是由亨利·H·阿达姆松;苗渊浩设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本短波红外焦平面阵列芯片及制作方法、传感器及制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种短波红外焦平面阵列芯片及其制作方法、传感器及其制作方法，该芯片包括：衬底结构，包括埋氧层和位于埋氧层一侧的第一本征层，第一本征层内具有第一重掺杂区；位于第一本征层远离埋氧层一侧的吸收层，吸收层包括至少一层锗层；贯穿吸收层和第一本征层的第二重掺杂区，在第一本征层内，第二重掺杂区与第一重掺杂区直接接触；位于吸收层远离衬底结构一侧的雪崩层，雪崩层包括本征锗层和锗硅层，且与吸收层满足晶格匹配条件；位于雪崩层远离吸收层一侧的第二本征层，第二本征层内具有第三重掺杂区；与第二重掺杂区电连接的第一电极以及与第三重掺杂区电连接的第二电极。该芯片的暗计数率和雪崩击穿电压较低，灵敏度和响应速度较高。

本发明授权短波红外焦平面阵列芯片及制作方法、传感器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种短波红外焦平面阵列芯片，其特征在于，包括至少一个单光子雪崩光电探测器，所述短波红外焦平面阵列芯片包括： 衬底结构，所述衬底结构包括埋氧层和位于所述埋氧层一侧的第一本征层，所述第一本征层内具有第一重掺杂区； 位于所述第一本征层远离所述埋氧层一侧的吸收层，所述吸收层包括至少一层锗层； 贯穿所述吸收层和所述第一本征层的第二重掺杂区，在所述第一本征层内，所述第二重掺杂区与所述第一重掺杂区直接接触； 位于所述吸收层远离所述衬底结构一侧的雪崩层，所述雪崩层包括本征锗层和锗硅层，且所述雪崩层与所述吸收层满足晶格匹配条件； 位于所述雪崩层远离所述吸收层一侧的第二本征层，所述第二本征层内具有第三重掺杂区； 位于所述第二本征层远离所述雪崩层一侧的反射层； 贯穿所述反射层、所述第二本征层以及所述雪崩层的第一通孔，所述第一通孔曝露所述吸收层中量子阱传感层部分表面以及所述第二重掺杂区远离所述埋氧层一侧表面，且所述第一通孔与所述第三重掺杂区不接触； 位于所述第一通孔表面以及所述反射层表面的钝化层，所述钝化层中具有第二通孔和第三通孔，所述第二通孔至少曝露所述第二重掺杂区部分表面，所述第三通孔至少曝露所述反射层部分表面； 通过所述第二通孔与所述第二重掺杂区电连接的第一电极以及通过所述第三通孔与所述第三重掺杂区电连接的第二电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州诺尔光电科技有限公司，其通讯地址为：510535 广东省广州市黄埔区开源大道136号A栋213室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。