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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118633167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380019598.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由伊藤裕介;前田贵广;木村晃;井上翼;光田昌弘设计研发完成，并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置1，其具备：在平面视图中，被形成在半导体层40的第一区域A1的晶体管10、被形成在与半导体层40的第一区域A1邻接的第二区域A2的晶体管20、以及被形成在与第一区域A1以及第二区域A2不重叠的第三区域A3的漏极焊盘151，在平面视图中，第一区域A1和第二区域A2是将半导体层40中的除第三区域A3以外的区域在面积上二等分的一方和另一方，在平面视图中，晶体管10和晶体管20在第一方向上排列，第三区域A3的中心位于将半导体层40在所述第一方向上二等分的且与所述第一方向正交的一直线状的中央线90上，在平面视图中，漏极焊盘151被包围在第三区域A3中。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，所述半导体装置具备： 半导体衬底； 被形成在所述半导体衬底上的低浓度杂质层； 在将所述半导体衬底和所述低浓度杂质层一起作为半导体层时， 第一纵型MOS晶体管，被形成在所述半导体层的第一区域； 第二纵型MOS晶体管，被形成在第二区域，所述第二区域是在所述半导体层的平面视图中与所述第一区域邻接的区域； 多个第一源极焊盘，在所述平面视图中被形成在所述第一区域，并且与所述第一纵型MOS晶体管的第一源极电极连接； 第一栅极焊盘，在所述平面视图中被形成在所述第一区域，并且与所述第一纵型MOS晶体管的第一栅极电极连接； 多个第二源极焊盘，在所述平面视图中被形成在所述第二区域，并且与所述第二纵型MOS晶体管的第二源极电极连接； 第二栅极焊盘，在所述平面视图中被形成在所述第二区域，并且与所述第二纵型MOS晶体管的第二栅极电极连接；以及 金属层，与所述半导体衬底的背面接触而形成， 所述半导体衬底是所述第一纵型MOS晶体管和所述第二纵型MOS晶体管的共通漏极区域， 在所述平面视图中，所述半导体层为矩形， 在所述平面视图中，所述第一纵型MOS晶体管与所述第二纵型MOS晶体管在第一方向上排列， 在所述平面视图中，所述半导体层具有与所述第一区域以及所述第二区域不重叠的第三区域， 在所述平面视图中，所述第一区域和所述第二区域是将所述半导体层中的除所述第三区域以外的区域在面积上二等分的一方和另一方， 在所述平面视图中，所述第三区域的中心位于中央线上，该中央线是将所述半导体层在所述第一方向上二等分且与所述第一方向正交的一直线状的线， 在所述平面视图中，所述半导体层具备与所述共通漏极区域连接的一个漏极焊盘， 在所述平面视图中，所述漏极焊盘以被包围在所述第三区域中的方式而被配置。

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