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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118488765B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410628711.7，技术领域涉及：H10K59/80；该发明授权显示面板及其制备方法是由万之君;李金川;曹蔚然设计研发完成，并于2024-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板在发光器件层上开设穿过位于缓冲区和阴极搭接区交界处的支撑构件的通道，使得阴极的材料可以通过通道进入阴极搭接区并搭接在被第一开口暴露的走线上。电子功能层采用蒸镀工艺，阴极采用较小蒸镀角的蒸镀工艺或溅射工艺且在同一掩模板下分别形成电子功能层和阴极。由于通道的设置，使得阴极和电子功能层的材料可以通过通道延伸至阴极搭接区。又由于阴极采用较小蒸镀角进行蒸镀或采用溅射工艺，使得阴极的成膜范围大于电子功能层的成膜范围，进而阴极可以搭接走线实现发光器件层的发光，从而降低显示面板的制备成本。

本发明授权显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的非显示区，其特征在于，所述非显示区包括缓冲区和位于所述缓冲区远离所述显示区一侧的阴极搭接区，所述显示面板包括： 薄膜晶体管结构层，所述薄膜晶体管结构层包括走线和覆盖所述走线的绝缘层，在所述阴极搭接区中，所述绝缘层上设置有第一开口，所述第一开口暴露所述走线； 发光器件层，所述发光器件层设置在所述薄膜晶体管结构层上，所述发光器件层包括电子功能层和设置在所述电子功能层远离所述薄膜晶体管结构层一侧的阴极； 支撑构件，所述支撑构件设置在所述绝缘层上且位于所述缓冲区和所述阴极搭接区的交界处； 其中，在所述缓冲区中，所述发光器件层开设有至少一通道，所述通道穿过所述支撑构件延伸至所述阴极搭接区，所述第一开口位于所述通道的延伸方向上；所述阴极的材料通过所述通道扩散进入所述阴极搭接区并连接所述走线； 在所述显示面板的正投影图案的所述非显示区内，所述阴极的边界超出所述电子功能层的边界，所述电子功能层至少覆盖所述显示区和所述缓冲区，所述阴极覆盖所述显示区和所述缓冲区并通过所述通道在所述第一开口与所述走线连接。

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