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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种多面管脚芯片封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118448281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410630971.8，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种多面管脚芯片封装方法及封装结构是由单欣;黄意雅;管方圆;徐秀兰;于广华设计研发完成，并于2024-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多面管脚芯片封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本申请涉及芯片封装技术领域，具体提供了及一种多面管脚芯片封装方法及封装结构，该方法包括以下步骤：将多面管脚芯片的底面朝下贴附在芯片容置凹槽内的第一导电层上；在多面管脚芯片与芯片容置凹槽之间形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成分别与多面管脚芯片的两个侧面上的管脚电性连接的两个第二导电层，并在两个第二导电层之间形成第二绝缘层；在芯片容置凹槽的至少一侧形成贯通芯片容置层的第一导电柱，并在芯片容置层顶面形成电连接结构；去除载板和部分第一导电层，并在第一导电层上形成塑封层在载板上依次形成第一导电层和芯片容置层；该方法能够有效地降低多面管脚芯片的封装成本和提高多面管脚芯片封装结构的可靠性。

本发明授权一种多面管脚芯片封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多面管脚芯片封装方法，所述多面管脚芯片的顶面、底面和两个相互对称的侧面上均设有管脚，其特征在于，所述多面管脚芯片封装方法包括以下步骤： S1、在第一导电层远离载板的一侧形成芯片容置层，所述芯片容置层上设有多个芯片容置凹槽； S2、将所述多面管脚芯片的底面朝下贴附在所述芯片容置凹槽内的第一导电层上； S3、在所述多面管脚芯片与所述芯片容置凹槽之间形成第一绝缘层； S4、在所述第一绝缘层上形成分别与所述多面管脚芯片的两个侧面上的管脚电性连接的两个第二导电层，并在两个所述第二导电层之间形成第二绝缘层； S5、在所述芯片容置凹槽的至少一侧形成贯通所述芯片容置层的第一导电柱，并在所述芯片容置层顶面形成与所述第一导电柱电性连接的电连接结构； S6、去除所述载板和部分第一导电层，以使所述多面管脚芯片的底面上的管脚通过剩余的第一导电层与其外侧的第一导电柱导通，并在所述第一导电层上形成塑封层。

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