中山大学黄一峰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种提升供应电流的电子源结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118398461B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410326665.5，技术领域涉及：H01J37/06；该发明授权一种提升供应电流的电子源结构及其制备方法是由黄一峰;陈阳;佘峻聪;陈军;邓少芝;许宁生设计研发完成，并于2024-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升供应电流的电子源结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及真空微纳电子源的技术领域，更具体地，涉及一种提升供应电流的电子源结构及其制备方法，利用厚度均匀的绝缘层贴合覆盖与发射体串联的P型半导体凸起结构表面，覆盖绝缘层外表面的控制电极相对P型半导体处于高电位，在凸起结构侧表面形成大面积的载流子耗尽层，利用其中的热产生电子向发射体供应场发射电流，从而增大单位衬底面积向发射体供应的热产生电流，提升发射电流强度及电流密度，有效解决了现有技术中基于P型半导体衬底的集成控制电极电子源中供应电流密度小、发射电流强度及电流密度受限的问题。
本发明授权一种提升供应电流的电子源结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提升供应电流的电子源结构，其特征在于：包括衬底5、多个凸起结构2、多个发射体1、绝缘层3和控制电极4；所述衬底5和凸起结构2均为P型掺杂半导体材料；所述衬底5、所述凸起结构2和所述发射体1由下往上依次叠放；所述凸起结构2的侧表面面积大于相邻所述发射体1水平间距平方的十分之一；所述绝缘层3厚度均匀且沿所述凸起结构2和所述衬底5的表面贴合覆盖，所述控制电极4覆盖所述绝缘层3的外表面；所述绝缘层3与所述控制电极4开设有多个存在空间重叠区域的微孔6，所述发射体1容纳置于所述微孔6中；所述控制电极4相对所述凸起结构2和所述衬底5处于高电位，诱导被所述控制电极4覆盖的所述凸起结构2及衬底5表面形成电子反型层和载流子耗尽层；所述载流子耗尽层垂直于所述衬底5，所述载流子耗尽层中的热产生电子输运到所述发射体1，供应场发射电流。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中山大学，其通讯地址为：510275 广东省广州市海珠区新港西路135号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励