厦门乾照光电股份有限公司王莎莎获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种氮化镓系LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118299478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410345187.2，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种氮化镓系LED外延结构及其制备方法是由王莎莎;程伟;罗桂兰;万志;卓祥景;林忠宝设计研发完成，并于2024-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓系LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化镓系LED外延结构及其制备方法，其所述有源层包括沿第一方向依次设置的第一复合区、应力过渡层以及第二复合区；通过所述应力过渡层的In组分设置，实现InGaNGaN超晶格结构即第一复合区与主发光区即第二复合区之间的应力过渡，避免因InGaNGaN超晶格结构中两材料晶格不匹配所带来的极化效应影响至主发光区；同时，通过所述应力过渡层的材料和厚度设置，使其等同于前置量子阱，以捕获通过V型坑中间的穿透位错中心泄露的载流子并使其进行辐射复合，进而提高有源层的内量子效率，提升LED芯片亮度。
本发明授权一种氮化镓系LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓系LED外延结构，其特征在于，包括： 衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、有源层以及P型半导体层；所述有源层包括沿第一方向依次设置的第一复合区、应力过渡层以及第二复合区； 其中，所述第一复合区包括可形成V型坑的InGaNGaN超晶格结构； 所述应力过渡层包括InGaN材料层，且所述应力过渡层和所述InGaNGaN超晶格结构具有相同的In组分； 所述第二复合区包括沿所述第一方向依次设置的多个量子阱周期结构，其中，各所述量子阱周期结构包括交替堆叠的量子垒层和量子阱层，且所述应力过渡层的厚度至少同与其相邻的量子阱周期结构中的量子阱层的厚度一致；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述N型半导体层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门乾照光电股份有限公司，其通讯地址为：361101 福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励