北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司张彦龙获国家专利权
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龙图腾网获悉北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司申请的专利一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118197370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410249797.2，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路是由张彦龙;陈雷;孙华波;闵楠;巩金浩;郭睿;杨铭谦;徐瀚铭;郭琨;赵美然;张玉设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路，包括保护电压产生电路和驱动电路。本发明利用保护电压与MOS管组成的支路为驱动电路提供额外的电流通路，在辐射条件下，当辐射电离效应导致器件产生表面缺陷，PMOS功率晶体管阈值电压升高时，供电保护电路能够保护SRAM供电电压，防止SRAM掉电损失数据。
本发明授权一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路在权利要求书中公布了：1.一种面向抗辐照SRAM型FPGA配置存储阵列供电的保护电路，其特征在于：包括：保护电压产生电路和驱动电路； 保护电压产生电路产生保护电压并输出给驱动电路； 驱动电路接收保护电压产生电路输出的保护电压，利用保护电压开启驱动电路中的电流补偿通路，输出供电电压给SRAM阵列中的多个SRAM，从而提高SRAM阵列的供电电压； 驱动电路包括：晶体管PM2、晶体管PM3、晶体管NM2和晶体管NM3； 晶体管PM2的栅极接收二次电源VG的供电输入；晶体管PM2的源极接收外部供电VDD供电；晶体管PM2的源极和晶体管PM3的源极连接外部电源VDD；晶体管PM3的栅极接地处理； 晶体管PM3的漏极连接晶体管NM3的漏极，晶体管NM3的栅极接收保护电压产生电路输出的保护电压，晶体管NM3的源极连接晶体管PM2的漏极、晶体管NM2的漏极和晶体管NM2的栅极；晶体管NM3的源极作为输出端，输出供电电压给外部SRAM阵列； 晶体管NM2的源极接地处理。
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