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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种基于正电极化的铁电纳米PbTiO3半导体材料制备方法和在光电化学阴极保护的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118108421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410231538.7，技术领域涉及：C03C17/34；该发明授权一种基于正电极化的铁电纳米PbTiO3半导体材料制备方法和在光电化学阴极保护的应用是由邢政;余健有设计研发完成，并于2024-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于正电极化的铁电纳米PbTiO3半导体材料制备方法和在光电化学阴极保护的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于正电极化的铁电纳米PbTiO3半导体材料制备方法和在光电化学阴极保护的应用。所述铁电纳米PbTiO3半导体材料的制备方法包括以下步骤：1将TiO2、PbNO3和KOH水溶液混合得到悬浮液，然后进行水热反应，得到单畴铁电PbTiO3；2将单畴铁电PbTiO3分散在乙醇中形成悬浮液；将悬浮液滴涂到FTO玻璃上，干燥后进行第一次煅烧，然后滴加TiCl4的无水醇溶液，再次干燥后进行第二次煅烧，完成颈缩处理得到PTO；最后在饱和氯化钾溶液中进行正电极化得到铁电纳米PbTiO3半导体材料。本发明使用水热法合成了具有导带电位较负，自极化强度大，居里温度高的铁电纳米材料PbTiO3，通过铁电材料的内部电场将电荷和空穴有效分离，促进光电阴极保护的能力。

本发明授权一种基于正电极化的铁电纳米PbTiO3半导体材料制备方法和在光电化学阴极保护的应用在权利要求书中公布了：1.一种铁电纳米PbTiO3半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将TiO2、PbNO3和KOH水溶液混合，搅拌，得到悬浮液，然后进行水热反应；反应后，调节悬浮液的pH后离心，沉淀物使用去离子水洗涤，干燥，得到单畴铁电PbTiO3； 2将单畴铁电PbTiO3分散在乙醇中，超声处理，形成悬浮液；将悬浮液滴涂到FTO玻璃上，干燥后进行第一次煅烧，然后滴加TiCl4的无水醇溶液，再次干燥后进行第二次煅烧，完成颈缩处理得到PbTiO3光阳极；最后在饱和氯化钾溶液中进行正电极化得到铁电纳米PbTiO3半导体材料； 步骤2中，所述悬浮液中所述单畴铁电PbTiO3的浓度为18-22mgmL；所述FTO玻璃上每平方厘米面积上的所述单畴铁电PbTiO3悬浮液的滴涂量为35-45μL； 步骤2中，所述TiCl4的无水醇溶液的浓度为15-25mM；所述FTO玻璃上每平方厘米面积上的所述TiCl4的无水醇溶液的滴涂量为20-30μL； 步骤2中，所述正电极化的电压为-0.7至-1V； 所述的铁电纳米PbTiO3半导体材料应用在光电化学阴极保护中。

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