华南理工大学杨超获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种层片结构形状记忆合金及其4D打印制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118060559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410146838.5，技术领域涉及：B22F10/50；该发明授权一种层片结构形状记忆合金及其4D打印制备方法是由杨超;廖雨欣;蔡潍锶;丁言飞;吴总;宋长辉设计研发完成，并于2024-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种层片结构形状记忆合金及其4D打印制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种层片结构形状记忆合金及其4D打印制备方法。该制备方法在4D打印过程中添加同步磁场，将形状记忆合金粉末与磁场和激光能量密度合理搭配，采用单向扫描策略和磁感线与扫描路径垂直的打印策略进行形状记忆合金的4D打印，最终获得层片结构形状记忆合金。本发明4D打印制备的层片结构形状记忆合金具有优异的功能特性，磁场添加方式简单，无需后处理即可调控微观结构，成本低，适合批量化和标准化生产，具有良好的推广应用场景。
本发明授权一种层片结构形状记忆合金及其4D打印制备方法在权利要求书中公布了：1.一种层片结构形状记忆合金的4D打印制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤： 1、添加同步磁场辅助结构 将磁场产生装置设置于激光发生器下或基板下，通过磁场的同步运动或磁场强度的同步增强实现4D打印过程同步磁场辅助结构的添加； 所述同步磁场辅助结构的添加包括两种方式， a、同步运动磁场：将磁场产生装置置于激光发生器下，并与激光同步运动，使打印熔池和磁场相对位置不变； b、同步增强磁场：将磁场产生装置置于基板下，固定位置不变，改变磁场产生装置电压，从而使打印熔池磁场强度恒定； 2、磁场与激光扫描策略耦合4D打印 采用步骤1中的同步磁场辅助结构，将形状记忆合金粉末与磁场和激光能量密度进行搭配，采用单向往复扫描策略和磁感线与扫描路径垂直的耦合方式进行形状记忆合金的4D打印，获得马氏体层和奥氏体层交替的层片结构形状记忆合金，马氏体层厚度为150~300μm，奥氏体层厚度为100~200μm； 所述单向往复扫描策略为：扫描路径保持单向，且相邻扫描路径的扫描方向相反； 所述磁感线与扫描路径垂直的耦合方式为：磁感线方向为纵向，与扫描路径和扫描平面保持垂直。
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