深圳市华星光电半导体显示技术有限公司王质武获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板和显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118055658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311832728.6,技术领域涉及:H10K59/80;该发明授权显示面板和显示装置是由王质武设计研发完成,并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板和显示装置在说明书摘要公布了:本申请公开一种显示面板和显示装置,该显示面板包括阵列基板、像素定义层、光阻、辅助阴极和绝缘层,发光器件位于像素定义层的像素开口内,发光器件至少包括阳极、发光功能层和阴极,阴极图案化的设置于各像素开口内;辅助阴极位于像素定义层之上;绝缘层位于辅助阴极之上;其中,辅助阴极与绝缘层围绕光阻设置,绝缘层与光阻接触的边缘辅助阴极与光阻接触的边缘,辅助阴极与绝缘层形成底切结构,阴极延伸至底切结构并与辅助阴极的侧边连接,光阻位于底切开口内。本申请克服了现有的显示面板采用顶发射结构时,存在阴极阻抗高的问题,降低了阴极阻抗,改善了阴极电流压降的情况。
本发明授权显示面板和显示装置在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括: 阵列基板; 像素定义层,位于所述阵列基板上; 发光器件,位于所述像素定义层的像素开口内,所述发光器件至少包括阳极、位于所述阳极之上的发光功能层、位于所述发光功能层之上的阴极; 光阻,至少位于所述发光器件的出光侧; 辅助阴极,位于所述像素定义层之上; 绝缘层,位于所述辅助阴极之上; 其中,所述辅助阴极和所述绝缘层围绕所述光阻设置,所述绝缘层与所述光阻接触的边缘突出于所述辅助阴极与所述光阻接触的边缘,所述绝缘层与所述辅助阴极形成底切结构,所述阴极延伸至所述底切结构并与所述辅助阴极的侧边连接; 还包括辅助电极,所述辅助电极和所述阳极同层设置,所述像素定义层上设有露出所述辅助电极的第三开口,所述辅助电极贯穿所述第三开口且连接所述辅助阴极。
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