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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117430427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311358221.1，技术领域涉及：C04B35/584；该发明授权一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法是由李达鑫;林海龙;齐鹏;高晨光;林坤鹏;张祎;杨治华;贾德昌;周玉设计研发完成，并于2023-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法在说明书摘要公布了：一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法，它涉及SiBCN复相陶瓷的制备方法。本发明要解决现有SiBCN陶瓷难以制备得到致密的块体陶瓷，且其介电常数和介电损耗相对较高的问题。方法：一、浆料制备；二、先驱体浆料固化；三、陶瓷热解；四、热处理。本发明用于耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备。

本发明授权一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷的制备方法，其特征在于它是按以下步骤进行的： 一、浆料制备： 将无机氧化物填料与SiBCN先驱体混合消泡，得到填料SiBCN先驱体浆料； 所述的无机氧化物填料为Al2O3填料、SiO2填料或ZrO2填料； 所述的无机氧化物填料为粉体或晶须；所述的粉体粒径为1μm～10μm；所述的晶须直径为0.1μm～1μm，长度为10μm～100μm； 所述的混合消泡具体是利用真空脱泡搅拌器，在转速为1000rpm～4000rpm的条件下，混料10min～90min，然后在转速为1000rpm～2500rpm的条件下，真空消泡5min～10min； 二、先驱体浆料固化： 将填料SiBCN先驱体浆料置于模具中固化，然后脱模并进行表面抛光，得到先驱体固化物； 所述的固化具体是先在温度为50℃～100℃的条件下，保温10min～30min，然后在温度为120℃～160℃的条件下，保温2h～12h； 三、陶瓷热解： 以升温速率为1℃min～3℃min，将先驱体固化物升温至200℃～300℃，并在温度为200℃～300℃的条件下，保温0.5h～2h，再以升温速率为0.5℃min～1℃min升温至550℃～650℃，然后以升温速率为1℃min～3℃min升温至1000℃，并在温度为1000℃的条件下，保温1h～12h，最后以降温速率为2℃min～5℃min降至室温，得到热解后的陶瓷； 四、热处理： 将热解后的陶瓷表面抛光清洗并干燥，然后在空气气氛下进行热处理，最后随炉冷却，即得到耐高温低介电损耗SiBCN复相陶瓷。

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