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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种多元过渡金属一硼化物粉体的低成本制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117417193B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311289909.9，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权一种多元过渡金属一硼化物粉体的低成本制备方法是由邹冀;李林;刘晶晶;王为民;傅正义设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多元过渡金属一硼化物粉体的低成本制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种多元过渡金属一硼化物粉体的低成本制备方法，属于陶瓷材料技术领域。该方法包括采用微米级MoO3、WO3、Cr2O3、MOx、B4C和C为原料，将原料粉末混料、干燥、过筛后利用无压烧结进行热处理，得到所需一硼化物粉末。本发明首先通过摇摆球磨将过渡金属氧化物MoO3,WO3,Cr2O3,Ta2O5,B4C和C粉进行湿磨混合，然后将混合均匀的原料在旋转蒸发器中充分干燥，最后对混合均匀的原料进行热处理实现高熵陶瓷粉体的制备，通过调整工艺参数，获得单相结构的高熵陶瓷粉体。该方法首次成功合成出了一硼化物的高熵陶瓷粉体，通过多项技术表征，合成的Mo0.25W0.25Cr0.25M0.25B高熵陶瓷粉体具有较好的颗粒分散性和微观形貌。

本发明授权一种多元过渡金属一硼化物粉体的低成本制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多元过渡金属一硼化物粉体的低成本制备方法，其特征在于，包括：采用微米级MoO3、WO3、Cr2O3、MOx、B4C和C为原料，根据以下化学方程式进行粉末的配比：0.25MoO3+0.25WO3+0.125Cr2O3+0.25MOx+0.25B4C+aC=Mo0.25W0.25Cr0.25M0.25B+bCO；其中，参数a和b分别为对应不同氧化物时C和CO的计量系数；将原料粉末混料、干燥、过筛后利用无压烧结进行热处理，得到所需一硼化物粉末；参数a的取值范围为2.125-2.5，参数b的取值范围为2.375-2.5；MOx中元素M为Ta、Nb、V、Ti中的任意一种； 无压烧结进行热处理的具体步骤为： 一次热处理：将过筛后的粉体进行压片，随后放入垫好石墨纸的石墨坩埚中，在石墨碳管炉中进行真空热处理，得到块体； 二次热处理：将得到的块体进行破碎、过筛，重新进行压片，随后放入垫好石墨纸的石墨坩埚中，在石墨碳管炉中再次进行真空热处理，热处理温度不高于第一次热处理温度。

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