先导薄膜材料(广东)有限公司文崇斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉先导薄膜材料(广东)有限公司申请的专利一种锑掺杂碲化镉靶材的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117209278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311192673.7，技术领域涉及：C04B35/515；该发明授权一种锑掺杂碲化镉靶材的制备方法是由文崇斌;朱刘;童培云设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锑掺杂碲化镉靶材的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于材料制备领域，公开了一种锑掺杂碲化镉靶材的制备方法。包括以下步骤：1将CdTe粉末、Sb2Te3粉末混合均匀，其中Sb2Te3粉末占比0.5~10wt%；2将混合均匀后的粉末进行加热反应，得到锑掺杂碲化镉靶材；所述加热反应具体为：一阶段：真空条件下，升温到300~400℃，保温30~50min；二阶段：真空条件下，升温到550~600℃，保温60~90min，该阶段在升温到最高温度后开始加压至80~90Mpa，并保压至保温时间结束。本发明采用真空热压烧结制备碲化镉掺杂靶材，工艺流程短，操作简便，所得碲化镉掺杂靶材的氧含量低，靶材相对密度高。
本发明授权一种锑掺杂碲化镉靶材的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锑掺杂碲化镉靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将CdTe和Sb2Te3在真空环境下分别破碎，得到CdTe粉末、Sb2Te3粉末，使用-325目CdTe粉末，使用-325目Sb2Te3粉末，将CdTe粉末、Sb2Te3粉末在真空条件下混合均匀，其中Sb2Te3粉末占比0.5~10wt%； 2将混合均匀后的粉末进行加热反应，得到锑掺杂碲化镉靶材； 所述加热反应具体为： 一阶段：真空条件下，升温到300~400℃，保温30~50min； 二阶段：真空条件下，升温到550~600℃，保温60~90min，该阶段在升温到最高温度后开始加压至80~90Mpa，并保压至保温时间结束。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人先导薄膜材料(广东)有限公司，其通讯地址为：511518 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励