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龙图腾网获悉青岛海信宽带多媒体技术有限公司申请的专利一种光模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117148519B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310974815.9，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种光模块是由隋少帅;高凤;赵其圣设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光模块在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光模块，包括硅光芯片，硅光芯片包括硅衬底、设于硅衬底上的光耦合器、与光耦合器连接的第一和第二输入波导、第一与第二耦合波导、与第一和第二耦合波导连接的PN型掺杂区、与PN型掺杂区连接的Ge吸收区及设于硅衬底上的金属电极，第一耦合波导与第一输入波导连接，第二耦合波导与第二输入波导连接，第一与第二耦合波导的厚度尺寸小于第一与第二输入波导的厚度尺寸；PN型掺杂区设置于第一与第二耦合波导上，Ge吸收区设置于PN掺杂区上方，Ge吸收区用于吸收光信号并将其转换为电信号；金属电极与PN型掺杂区相接触，用于传输电信号。本申请通过特殊波导结构和Ge探测器设计，同时实现了高调制带宽和高光响应度。

本发明授权一种光模块在权利要求书中公布了：1.一种光模块，其特征在于，包括： 电路板； 硅光芯片，与所述电路板电连接，用于接收光纤传输的信号光并对所述信号光进行电光转换； 其中，所述硅光芯片包括： 硅衬底； 光耦合器，设置于所述硅衬底上，所述光耦合器用于将所述光纤传输的信号光耦合至所述硅光芯片； 第一输入波导，设置于所述硅衬底上，所述第一输入波导与所述光耦合器的第一输出端连接，所述第一输入波导用于传输所述光耦合器接收的光信号； 第一耦合波导，设置于所述第一输入波导下方，所述第一耦合波导与所述第一输入波导的输出端连接，所述第一耦合波导的厚度尺寸小于所述第一输入波导的厚度尺寸，所述第一耦合波导输入端的宽度尺寸大于所述第一输入波导输出端的宽度尺寸；所述第一耦合波导用于传输所述第一输入波导输出的光信号； 第二输入波导，设置于所述硅衬底上，所述第二输入波导与所述光耦合器的第二输出端连接，所述第二输入波导用于传输所述光耦合器接收的光信号； 第二耦合波导，设置于所述第二输入波导下方，所述第二耦合波导与所述第二输入波导的输出端连接，所述第二耦合波导的厚度小于所述第二输入波导的厚度，所述第二耦合波导的输入端的宽度尺寸大于所述第二输入波导输出端的宽度尺寸；所述第二耦合波导用于传输所述第二输入波导输出的光信号； PN型掺杂区，设置于所述第一耦合波导与所述第二耦合波导上，所述PN型掺杂区与所述第一耦合波导和所述第二耦合波导连接；所述PN型掺杂区包括N型轻掺杂区与P型轻掺杂区，所述N型轻掺杂区与所述P型轻掺杂区沿光接收光路方向延伸并且沿着所述硅光芯片的宽度方向依次设置，所述N型轻掺杂区内设置有N型重掺杂区，所述P型轻掺杂区内设置有P型重掺杂区；所述PN型掺杂区用于接收所述第一耦合波导与所述第二耦合波导传输的光信号； Ge吸收区，设置于所述N型轻掺杂区与所述P型轻掺杂区上方，以降低所述Ge吸收区的厚度；所述Ge吸收区分别与所述N型轻掺杂区、所述P型轻掺杂区电连接，所述N型重掺杂区与所述P型重掺杂区均远离所述Ge吸收区，所述Ge吸收区的波导有效折射率大于所述第一耦合波导与所述第二耦合波导的有效折射率；所述Ge吸收区用于吸收传输的光信号并将所述光信号转换为电信号； 金属电极，设置于所述硅衬底上，所述金属电极包括N区金属电极与P区金属电极，所述N区金属电极与所述N型重掺杂区相接触，所述P区金属电极与所述P型重掺杂区相接触；所述金属电极用于传输所述电信号。

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