武汉颐光科技有限公司薛小汝获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉颐光科技有限公司申请的专利一种基于波长校准的样件厚度测量方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116182720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211575088.0,技术领域涉及:G01B11/06;该发明授权一种基于波长校准的样件厚度测量方法是由薛小汝;石雅婷;李伟奇;郭春付;张传维;何勇设计研发完成,并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于波长校准的样件厚度测量方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种基于波长校准的样件厚度测量方法,椭偏系统通过逐波长校准的方式获得样品所需信息,但光谱仪波长标定存在偏差,使用光谱仪获取的光强信号与标定的波长非一一对应,波长的偏差通过校准过程全传递给样件厚度,影响最终的测量结果。本发明通过逐波长校准方式修正光强信号中的波长,并获取校准后的系统参数等信息,最终提升整个椭偏系统参数的校准精度以及样件厚度的测量精度。
本发明授权一种基于波长校准的样件厚度测量方法在权利要求书中公布了:1.一种基于波长校准的样件厚度测量方法,其特征在于,包括: 步骤1,获取样件在每个波长下的测量光强信号; 步骤2,基于每个波长下的测量光强信号和系统参数参考值,计算样件测量穆勒矩阵,以及基于样件厚度、偏振光入射角参考值和波长计算样件理论穆勒矩阵; 步骤3,基于回归拟合方法,调整系统参数、偏振光入射角和样件厚度,使得样件测量穆勒矩阵和样件理论穆勒矩阵接近,获取校准后的系统参数、偏振光入射角和样件厚度; 步骤4,基于校准后的系统参数、偏振光入射角和样件厚度,执行步骤2,基于回归拟合方法,调整波长,使得样件测量穆勒矩阵和样件理论穆勒矩阵接近,获取校准后的波长,更新测量光强信号中的波长; 步骤5,基于步骤4的测量光强信号,执行步骤2和步骤3,获取校准后的系统参数、偏振光入射角和样件厚度; 步骤6,循环执行步骤4和步骤5,直到满足循环迭代停止条件,获取当前迭代步校准后的系统参数、偏振光入射角和波长; 步骤7,基于步骤6获得的系统参数,计算样件测量穆勒矩阵,基于样件厚度参考值和步骤6获得的偏振光入射角以及波长,计算样件理论穆勒矩阵,不断调整样件厚度,使得样件测量穆勒矩阵和理论穆勒矩阵接近,获取样件厚度。
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