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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116057666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180054023.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆是由横川功设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆在说明书摘要公布了：本发明是一种SOI晶圆的制造方法，包含：通过热氧化在包含掺杂剂的基底晶圆的整面形成硅氧化膜的工序；以及使结合晶圆的主面与基底晶圆的第一主面经由硅氧化膜贴合的工序，在热氧化工序之前，还包含：在基底晶圆的第二主面上形成CVD绝缘膜的工序；以及在基底晶圆的第一主面上形成以低于基底晶圆的掺杂剂浓度的浓度含有掺杂剂的阻挡硅层的工序，在热氧化工序中，将阻挡硅层热氧化而获得阻挡硅氧化膜，在贴合工序中，使结合晶圆与基底晶圆经由硅氧化膜的一部分即阻挡硅氧化膜贴合。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，能够一边抑制因基底晶圆的掺杂剂的混入所导致的SOI层的污染，一边制造SOI晶圆。

本发明授权SOI晶圆的制造方法及SOI晶圆在权利要求书中公布了：1.一种SOI晶圆的制造方法，至少包含以下工序： 准备工序，准备基底晶圆及结合晶圆，所述基底晶圆由在晶圆整体含有掺杂剂且具有第一主面及与该第一主面为相反侧的第二主面的单晶硅晶圆构成，所述结合晶圆由以低于所述基底晶圆的掺杂剂浓度的浓度含有掺杂剂的单晶硅晶圆构成； 热氧化工序，通过热氧化在所述基底晶圆的整面形成硅氧化膜； 贴合工序，使所述结合晶圆的一个主面与所述基底晶圆的所述第一主面经由所述基底晶圆上的所述硅氧化膜贴合；以及 薄膜化工序，将所述结合晶圆薄膜化而形成SOI层， 其特征在于， 在所述基底晶圆的热氧化工序前，还包含以下工序： 在所述基底晶圆的所述第二主面上形成CVD绝缘膜的工序；以及 在所述基底晶圆的所述第一主面上形成阻挡硅层的工序，所述阻挡硅层以低于所述基底晶圆的所述掺杂剂浓度的浓度含有掺杂剂， 在所述热氧化工序中，对所述阻挡硅层进行热氧化，而获得作为所述硅氧化膜的一部分的阻挡硅氧化膜， 在所述贴合工序中，使所述结合晶圆的所述一个主面与所述基底晶圆的所述第一主面经由所述硅氧化膜的一部分即所述阻挡硅氧化膜贴合。

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