3C项目管理有限公司G·J·麦卡沃伊获国家专利权
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龙图腾网获悉3C项目管理有限公司申请的专利具有集成CMOS电路的MEMS装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115989151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180053261.8，技术领域涉及：B41J2/14；该发明授权具有集成CMOS电路的MEMS装置是由G·J·麦卡沃伊设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有集成CMOS电路的MEMS装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制造MEMS装置的方法，所述MEMS装置包含可移动的微机电压电组件和被配置成与所述微机电组件导电连通的CMOS电路。在衬底上形成多个CMOS电路层以形成所述CMOS电路，所述多个CMOS电路层包含多个CMOS钝化层和金属化层。去除所述装置的组件区域中的所述多个CMOS钝化层和金属化层中的至少一个的部分。形成一个或多个组件区域层来代替所述组件区域中被去除的部分以形成所述可移动的微机电压电组件。所述一个或多个组件区域层与所述多个CMOS钝化层和金属化层中的所述至少一个的所述部分不同。
本发明授权具有集成CMOS电路的MEMS装置在权利要求书中公布了：1.一种制造微机电系统MEMS装置的方法，所述MEMS装置包含可移动的微机电组件和被配置成与所述微机电组件导电连通的CMOS电路，所述方法包含： 在衬底上形成多个CMOS电路层以形成所述CMOS电路，所述多个CMOS电路层包含多个CMOS钝化层和金属化层； 去除所述装置的组件区域中的所述多个CMOS钝化层和金属化层中的至少一个的部分；以及 形成一个或多个组件区域层来代替所述组件区域中被去除的部分以形成所述可移动的微机电组件，所述一个或多个组件区域层与所述多个CMOS钝化层和金属化层中的所述至少一个的所述部分不同， 其中所述一个或多个组件区域层中的一个是MEMS钝化层，并且 其中形成所述一个或多个组件区域层包含在所述MEMS钝化层上沉积所述微机电组件。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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