中国电子科技集团公司第十二研究所梁宸获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十二研究所申请的专利玻璃陶瓷及其制备方法与静电卡盘获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115925262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211718846.X，技术领域涉及：C03C10/00；该发明授权玻璃陶瓷及其制备方法与静电卡盘是由梁宸;李海青;谭会会;臧向荣;刘征;赵世柯;蔡安富设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本玻璃陶瓷及其制备方法与静电卡盘在说明书摘要公布了：本发明涉及玻璃陶瓷制造及静电卡盘技术领域，公开了一种玻璃陶瓷及其制备方法与静电卡盘。本发明提供的玻璃陶瓷，以所述玻璃陶瓷的总重为基准，以氧化物计，所述玻璃陶瓷的化学组成包括：二氧化硅23‑36wt％、氧化钙8‑18wt％、氧化锌5‑18wt％、氧化铝8‑16wt％、氧化硼0‑9wt％、第一助剂4‑15wt％和第二助剂12‑28wt％；其中，所述第一助剂选自氧化钡和或氧化锶；所述第二助剂选自二氧化钛、二氧化锆和五氧化二磷中的至少一种；氧化钙+第一助剂：二氧化硅+氧化硼的重量比≥0.5。该玻璃陶瓷能够兼顾低烧结温度和电绝缘性能，与氧化铝基底的烧结亲和性好，能够很好满足电极层采用低熔点材料的静电卡盘对电介质层材料的性能要求。
本发明授权玻璃陶瓷及其制备方法与静电卡盘在权利要求书中公布了：1.一种用于静电卡盘的玻璃陶瓷，其特征在于，以所述玻璃陶瓷的总重为基准，以氧化物计，所述玻璃陶瓷的化学组成包括：二氧化硅23-36wt％、氧化钙8-18wt％、氧化锌5-18wt％、氧化铝8-16wt％、氧化硼0-9wt％、第一助剂4-15wt％和第二助剂12-28wt％； 其中，所述第一助剂选自氧化钡和或氧化锶；所述第二助剂选自二氧化钛、二氧化锆和五氧化二磷中的至少一种； 氧化钙+第一助剂：二氧化硅+氧化硼的重量比≥0.5； 所述玻璃陶瓷在25℃、1000V条件下的体积电阻为1×1014-8×1015Ωcm； 所述玻璃陶瓷在25℃的硅油介质中的电击穿强度为30-49kVmm； 所述玻璃陶瓷在13.56MHz下的介电常数为8-11； 所述玻璃陶瓷在1MHz下的介电损耗为0.4-1×10-3； 所述静电卡盘具有氧化铝基底。
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